WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006035663) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PARTICULES DE SiOx
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/035663    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/017466
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 22.09.2005
CIB :
C01B 33/18 (2006.01), C01B 33/113 (2006.01)
Déposants : The University of Electro-Communications [JP/JP]; 1-5-1, Chofugaoka, Chofu-shi, Tokyo 1828585 (JP) (Tous Sauf US).
DENKI KAGAKU KOGYO KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1038338 (JP) (Tous Sauf US).
NOZAKI, Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UCHIDA, Kazuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORISAKI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWASAKI, Takashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IBUKIYAMA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NOZAKI, Shinji; (JP).
UCHIDA, Kazuo; (JP).
MORISAKI, Hiroshi; (JP).
KAWASAKI, Takashi; (JP).
IBUKIYAMA, Masahiro; (JP)
Mandataire : WATANABE, Keisuke; 6thFloor, Mitsui Sumitomo Ginko Okachimachi Bldg. 11-4, Taito 4-chome Taito-ku, Tokyo 1100016 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-280053 27.09.2004 JP
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING SiOx PARTICLE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PARTICULES DE SiOx
(JA) SiOx粒子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing SiOx particles having crystalline silicon incorporated therein; SiOx powder obtained by the process; a molding thereof; and obtained from the molding, a semiconductor element and luminescent element. Crystalline silicon particles of nanometer order usable as a semiconductor element are provided by a process for producing SiOx particles characterized in that SiOx (wherein x is ≥ 0.5 but < 2.0) particles having amorphous silicon particles of 0.5 to 5 nm diameter incorporated therein are exposed to light, preferably laser beams, to thereby obtain SiOx (wherein x is ≥ 0.5 but < 2.0) particles having crystalline silicon particles of 1 to 10 nm diameter incorporated therein. The product can find suitable application in various uses as a novel functional material of luminescent elements, electronic components, etc. and accordingly is highly useful in industry.
(FR)L’invention concerne un procédé de fabrication de particules de SiOx ayant du silicium cristallin incorporé dans celles-ci ; une poudre de SiOx obtenue par le procédé ; un moulage de celle-ci ; et obtenu du moulage, un élément semi-conducteur et un élément luminescent. Les particules de silicium cristallin de l’ordre du nanomètre utilisables comme élément semi-conducteur sont obtenues par un procédé de fabrication de particules de SiOx caractérisé en ce que les particules de SiOx (où x est ≥ 0,5 mais < 2,0) ayant des particules de silicium amorphe d’un diamètre compris entre 0,5 et 5 nm incorporées dans celles-ci sont exposées à la lumière, de préférence des faisceaux laser, pour ainsi obtenir des particules de SiOx (où x est ≥ 0,5 mais < 2,0) ayant des particules de silicium cristallin d’un diamètre compris entre 1 et 10 nm incorporées dans celles-ci. Le produit peut trouver une application judicieuse dans diverses utilisations comme matériau fonctionnel novateur d’éléments luminescents, de composants électroniques, etc. et se révèle par conséquent extrêmement utile dans l’industrie.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)