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1. (WO2006035593) COMPOSITION DE CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE DE TITANATE DE BARYUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/035593    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/016748
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 12.09.2005
CIB :
C04B 35/468 (2006.01)
Déposants : TOHO TITANIUM CO., LTD. [JP/JP]; 3-5, Chigasaki 3-chome, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538510 (JP) (Tous Sauf US).
SAKAI, Hideki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SAKAI, Hideki; (JP)
Mandataire : SUENARI, Mikio; Asako Kyobashi Building 3rd floor 6-13, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 104-0031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-279103 27.09.2004 JP
Titre (EN) BARIUM TITANATE SEMICONDUCTOR CERAMIC COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE CÉRAMIQUE SEMI-CONDUCTRICE DE TITANATE DE BARYUM
(JA) チタン酸バリウム系半導体磁器組成物
Abrégé : front page image
(EN)A barium titanate semiconductor ceramic composition suitable for use in a positive temperature coefficient thermistor of low resistance, high withstand voltage and short reset time usable even in a heavy load, such as an overcurrent protection element installed in OA apparatus and motors. The barium titanate semiconductor ceramic composition comprises, per 100 mol of a main component consisting of 10 to 20 mol% of calcium titanate, 1 to 10 mol% of lead titanate and the balance of barium titanate, 0.05 to 0.15 mol of manganese oxide and 1.5 to 2.5 mol of silicon oxide, and further comprises, as a semiconducting agent, 0.2 to 0.4 mol of at least one member selected from among erbium oxide, dysprosium oxide and lanthanum oxide.
(FR)L’invention concerne une composition de céramique semi-conductrice de titanate de baryum convenant à une utilisation dans un thermistor à coefficient de température positif de faible résistance, haute tension de résistance et court laps de temps de réinitialisation utilisable même à une contrainte élevée, comme un élément de protection contre la surintensité installé dans des moteurs et des appareils OA. La composition de céramique semi-conductrice de titanate de baryum comprend, pour 100 moles d’une composante principale consistant en 10 à 20 % en mole de titanate de calcium, 1 à 10 % en mole de titanate de plomb et le reste de titanate de baryum, 0,05 à 0,15 mole d’oxyde de manganèse et 1,5 à 2,5 moles d’oxyde de silicium, et comporte en outre, comme agent semi-conducteur, 0,2 à 0,4 mole d’au moins un élément sélectionné parmi l’oxyde d’erbium, l’oxyde de dysprosium et l’oxyde de lanthane.
(JA)OA機器やモーター用過電流保護素子のような大きな負荷にも使用できる低抵抗、高耐電圧で復帰時間の短い正特性サーミスタ用として好適なチタン酸バリウム系半導体磁器組成物を提供する。チタン酸カルシウム10~20モル%、チタン酸鉛1~10モル%、残部がチタン酸バリウムからなる主成分100モルに対し、酸化マンガンを0.05~0.15モル、酸化ケイ素を1.5~2.5モル含有し、さらに半導体化剤として酸化エルビウム、酸化ディスプロシウムおよび酸化ランタンの1種以上を0.2~0.4モル含有する。   
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)