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1. (WO2006035387) DISPOSITIFS CMOS A MOYENNE TENSION ISOLES ELECTRIQUEMENT PAR UNE TRANCHEE PROFONDE ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/035387    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/053143
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 22.09.2005
CIB :
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
ALBU, Lucian Remus [US/US]; (US) (US Seulement).
HAUSSER, Stefan [US/US]; (US) (US Seulement).
EUEN, Wolfgang [US/US]; (US) (US Seulement).
SCHLIGTENHORST, Holger [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ALBU, Lucian Remus; (US).
HAUSSER, Stefan; (US).
EUEN, Wolfgang; (US).
SCHLIGTENHORST, Holger; (US)
Représentant
commun :
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V.; Philips Intellectual Property & Standards, c/o BRAM, Eric, M., P.O. Box 3001, Briarcliff Manor, NY 10510-8001 (US)
Données relatives à la priorité :
60/614,723 30.09.2004 US
Titre (EN) DEEP TRENCH ELECTRICALLY ISOLATED MEDIUM VOLTAGE CMOS DEVICES AND METHOD FOR MAKING THE SAME
(FR) DISPOSITIFS CMOS A MOYENNE TENSION ISOLES ELECTRIQUEMENT PAR UNE TRANCHEE PROFONDE ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)A medium voltage CMOS semiconductor device (20) provides for higher transistor (201) densities by using a deep trench structure (230) to electrically isolate adjacent transistors (210). The device includes a semiconductor substrate (200); first and second medium voltage MOS transistors (210) each having a channel region (215) in the semiconductor substrate (200); a field oxide region (220) on the semiconductor substrate (200) extending between and separating the first and second medium voltage MOS transistors (210); a trench (230) extending from the field oxide region (220) down to a depth greater than a depth of space charge regions of the first and second medium voltage MOS transistors (210); and a dielectric material disposed in the trench (230).
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur CMOS à moyenne tension (20) fournissant des densités de transistor (201) supérieures grâce à une structure de tranchée profonde (230) permettant d'isoler électriquement les transistors adjacents (210). Le dispositif comprend un substrat semi-conducteur (200) ; un premier et un second transistor MOS à moyenne tension (210) comportant chacun une région de canal (215) dans le substrat semi-conducteur (200) ; une région d'oxyde de champ (220) sur le substrat semi-conducteur (200), disposée entre le premier et le second transistor MOS à moyenne tension (210) et séparant ces derniers ; une tranchée (230) allant de la région d'oxyde de champ (220) jusqu'à une profondeur supérieure à celle de régions de charge d'espace du premier et du second transistor MOS à moyenne tension (210) ; et un matériau diélectrique disposé dans la tranchée (230).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)