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1. (WO2006035212) DIODES ELECTROLUMINESCENTES TEXTUREES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/035212    N° de la demande internationale :    PCT/GB2005/003704
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 27.09.2005
CIB :
H01L 33/22 (2010.01), H01L 33/24 (2010.01)
Déposants : WANG, Wang, Nang [--/GB]; (GB)
Inventeurs : WANG, Wang, Nang; (GB)
Mandataire : NEWSTEAD, Michael, John; Page Hargrave, Southgate, Whitefriars, Lewins Mead, Bristol BS1 2NT (GB)
Données relatives à la priorité :
0421500.0 28.09.2004 GB
Titre (EN) TEXTURED LIGHT EMITTING DIODES
(FR) DIODES ELECTROLUMINESCENTES TEXTUREES
Abrégé : front page image
(EN)A high fill factor textured light emitting diode structure comprises: a first textured cladding and contact layer (2) comprising a doped III-V or II-VI group compound semiconductor or alloys of such semiconductors deposited by epitaxial lateral overgrowth (ELOG) onto a patterned substrate (1); a textured undoped or doped active layer (3) comprising a III-V or II-VI group semiconductor or alloys of such semiconductors and where radiative recombination of electrons aid holes occurs or intersubband transition occurs; and a second textured cladding and contact layer (4) comprising a doped III-V or II-VI group semiconductor or alloys of such semiconductors.
(FR)L'invention concerne une structure de diode électroluminescente texturée à taux de remplissage élevé. Cette structure comprend: un premier revêtement texturé et une couche de contact (2) comprenant un semi-conducteur en composé du groupe III-V ou II-VI dopé ou des alliages de tels semi-conducteurs déposés par croissance latérale épitaxiale (ELOG) sur un substrat présentant des motifs (1); une couche active dopée ou non dopée texturée (3) comprenant un semi-conducteur du groupe III-V ou II-VI ou des alliages de tels semi-conducteurs. Dans une telle structure, une recombinaison radiative d'électrons et d'orifices se produit ou il se produit une transition intra-sous-bande. Cette structure comprend également un second revêtement texturé et une couche de contact (4) comprenant un semi-conducteur du groupe III-V ou II-VI dopé ou des alliages de tels semi-conducteurs.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)