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1. (WO2006034970) ENSEMBLE SEMI-CONDUCTEUR DOTE D'UN CONTACT TUNNEL ET PROCEDE DE REALISATION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/034970    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/054655
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 19.09.2005
CIB :
H01L 29/739 (2006.01), H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/04 (2006.01)
Déposants : SICED ELECTRONICS DEVELOPMENT GMBH & CO. KG [DE/DE]; Paul-Gossen-Strasse 100, 91052 Erlangen (DE) (Tous Sauf US).
MITLEHNER, Heinz [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
STEPHANI, Dietrich [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : MITLEHNER, Heinz; (DE).
STEPHANI, Dietrich; (DE)
Mandataire : BERG, Peter; Siemens AG / Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 047 313.7 29.09.2004 DE
Titre (DE) HALBLEITERANORDNUNG MIT TUNNELKONTAKT UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR ASSEMBLY COMPRISING A TUNNEL CONTACT AND METHOD FOR PRODUCING SAID ASSEMBLY
(FR) ENSEMBLE SEMI-CONDUCTEUR DOTE D'UN CONTACT TUNNEL ET PROCEDE DE REALISATION ASSOCIE
Abrégé : front page image
(DE)Bei einer Halbleiteranordnung aus Siliciumcarbid oder dergleichen mit einem Wafer als Substrat ist ein hochleiterfähiger Tunnelkontakt vorhanden. Dazu wird ein n-Substrat (30) verwendet, wobei eine Umkehrung der Dotierung beim weiteren epitaktischen Wachstum erfolgt. Bei der Herstellung einer solchen Anordnung durch epitaktische Beschichtung eines n-dotierten Wafers als Substrat (30) mit einem p-dotierten Halbleitermaterial (32) (p-Epitaxie) wird zur Herstellung des Tunnelkontaktes vor der p-Epitaxie eine n-Implatation in der Wafer vorgenommen. Es können so insbesondere IGBT-artige Bauelemente hergestellt werden.
(EN)The invention relates to a semiconductor assembly consisting of silicon carbide or similar with a wafer as the substrate and provided with a highly conductive tunnel contact. The assembly uses an n-substrate (30), allowing a doping reversal to occur with the additional epitaxial growth. During the production of an assembly of this type by the epitaxial coating of an n-doped wafer, which is used as the substrate (30), with a p-doped semiconductor material (32) (p-epitaxy), the wafer undergoes an n-implantation prior to the p-epitaxy to produce the tunnel contact. IGBT-type components in particular can thus be produced.
(FR)L'invention concerne un ensemble semi-conducteur en carbure de silicium ou en matériau similaire, cet ensemble comprenant une tranche comme substrat et un contact tunnel hautement conducteur, ainsi qu'un substrat n (30), le dopage étant inversé lors de la poursuite de la croissance épitaxiale. Lors de la réalisation d'un tel ensemble par revêtement épitaxial d'une tranche à dopage n comme substrat (30) doté d'un matériau semi-conducteur à dopage p (32) (épitaxie p), une implantation n est faite dans la tranche avant l'épitaxie p pour créer le contact tunnel. Il est ainsi possible de réaliser des éléments de type IGBT.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)