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1. (WO2006034782) ELEMENT DE STOCKAGE NON-VOLATIL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/034782    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/009881
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 14.09.2005
CIB :
G11C 14/00 (2006.01)
Déposants : AUSTRIAMICROSYSTEMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten, A-8141 Unterpremstätten (AT) (Tous Sauf US).
SCHATZBERGER, Gregor [AT/AT]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : SCHATZBERGER, Gregor; (AT)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstr. 55, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 046 793.5 27.09.2004 DE
Titre (DE) NICHT-FLÜCHTIGES SPEICHERELEMENT
(EN) NON-VOLATILE STORAGE ELEMENT
(FR) ELEMENT DE STOCKAGE NON-VOLATIL
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein nicht-flüchtiges Speicherelement umfassend Datenanschlüsse (I1/O1, I2/O2), zwei MOS-Transistoren (60, 70) eines ersten Leitfähigkeitstyps, deren Source-Anschlüssen mit einem zweiten Versorgungsspannungsanschluss (10) verbunden sind, wobei ein Drain-Anschluss des MOS-Transistors (60) mit dem Datenanschluss (I1/O1) verbunden ist und ein Drain-Anschluss des MOS-Transistors (70) mit dem Datenanschluss (I2/O2) verbunden ist, und wobei die MOS-Transistoren (60, 70) kreuzgekoppelt sind. Zudem sind zwei kreuzgekoppelte Floating-Gate-MOS-Transistoren (40, 50) eines zweiten Leitfähigkeitstyps vorgesehen, wobei ein Drain-Anschluss des MOS-Transistors (40) mit dem Datenanschluss (I1/O1) verbunden ist und ein Drain-Anschluss des MOS-Transistors (50) mit dem Datenanschluss (I2/O2) verbunden ist. Weiterhin sind zwei MOS-Transistoren (20, 30) des zweiten Leitfähigkeitstyps vorgesehen, deren Source-Anschlüsse mit einem ersten Versorgungsspannungsanschluss (12) verbunden sind, deren Gate-Anschlüsse mit einer ersten gemeinsamen Schaltleitung (14) verbunden sind und deren Well-Anschlüsse mit einer dritten gemeinsamen Steuerleitung (5) verbunden sind, wobei ein Drain-Anschluss des MOS-Transistors (20) mit dem Source-Anschluss des MOS-Transistors (50) und ein Drain-Anschluss des MOS-Transistors (30) mit dem Source-Anschluss des MOS-Transistors (50) verbunden ist.
(EN)The invention relates to a non-volatile storage element comprising data connections (I1/O1, I2/O2) and two MOS transistors (60, 70) of a first conductivity type, the source connections of the transistors being connected to a second supply voltage connection (10). A drain connection of the MOS transistor (60) is connected to the data connection (I1/O1), and a drain connection of the MOS transistor (70) is connected to the data connection (I2/O2), said MOS transistors (60, 70) being cross-coupled. The inventive storage element also comprises two cross-coupled floating gate MOS transistors (40, 50) of a second conductivity type, a drain connection of the MOS transistor (40) being connected to the data connection (I1/O1), and a drain connection of the MOS transistor (50) being connected to the data connection (I2/O2). Said storage element further comprises two MOS transistors (20, 30) of a second conductivity type, the source connections thereof being connected to a first supply voltage connection (12), the gate connections thereof being connected to a first common switching line (14), and the well connections thereof being connected to a third common control line (5). A drain connection of the MOS transistor (20) is connected to the source connection of the MOS transistor (50), and a drain connection of the MOS transistor (30) is connected to the source connection of the MOS transistor (50).
(FR)L'invention concerne un élément de stockage non-volatil comportant des raccords de données (I1/O1, I2/O2), et deux transistors MOS (60, 70) d'un premier type de conductivité, dont les raccords de source sont connectés à un premier raccord de tension d'alimentation (10), un raccord de drain du transistor MOS (60) étant connecté au raccord de données (I1/O1), un raccord de drain du transistor MOS (70) étant connecté au raccord de données (I2/O2), et les transistors MOS (60, 70) étant couplés en croix. Ledit élément de stockage comporte également deux transistors MOS couplés en croix (40, 50) d'un deuxième type de conductivité, un raccord de drain du transistor MOS (40) étant connecté au raccord de données (I1/O1) et un raccord de drain du transistor MOS (50) étant connecté au raccord de données (I2/O2). Ledit élément de stockage comporte également deux transistors MOS couplés en croix (20, 30) du deuxième type de conductivité, dont les raccords de source sont connectés à un premier raccord de tension d'alimentation (12), les raccords de grille sont connectés à une première ligne de commutation commune (14) et les raccords de puits sont connectés à une troisième ligne de commande commune (5). Un raccord de drain du transistor MOS (20) est connecté au raccord de source du transistor MOS (50) et un raccord de drain du transistor MOS (30) est connecté au raccord de source du transistor MOS (50).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)