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1. (WO2006034704) PUCE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN CIRCUIT DE REACHEMINEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/034704    N° de la demande internationale :    PCT/DE2005/001737
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 29.09.2005
CIB :
G11C 29/00 (2006.01), G11C 16/20 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (Tous Sauf US).
OSSIMITZ, Peter [AT/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : OSSIMITZ, Peter; (DE)
Mandataire : SCHÄFER, Horst; c/o Kanzlei Schweiger & Partner, Karlstr. 35, 80333 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 047 813.9 29.09.2004 DE
Titre (DE) HALBLEITERSPEICHERBAUSTEIN MIT EINER UMLENKSCHALTUNG
(EN) SEMICONDUCTOR MEMORY CHIP COMPRISING A REROUTING CIRCUIT
(FR) PUCE MEMOIRE A SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN CIRCUIT DE REACHEMINEMENT
Abrégé : front page image
(DE)Das erfindungsgemäße Verfahren zur Fehlerkorrektur von Halbleiterspeicherbausteinen stellt ein Anwendungssystem mit einem Multi-Chip-Modul (1) bereit, das einen Halbleiterspeicherbaustein (2) mit einem flüchtigen Speicher und eine Umlenkschaltung (7) aufweist. Beim Booten des Anwendungssystems werden Adressen von fehlerhaften Speicherzellen des Halbleiterspeicherbausteins (2) in das Multi-Chip-Modul (1) geladen, sodass die Umlenkschaltung (7) den Zugriff auf eine Speicherzelle in den Ersatzdatenspeicherumlenkt, falls auf eine fehlerhafte Speicherzelle des Halbleiterspeicherbausteins (2) zugegriffen wird.
(EN)Disclosed is a method for correcting faults of semiconductor memory chips, which creates an application system with a multichip module (1) that is provided with a semiconductor memory chip (2) encompassing a volatile memory and a rerouting circuit (7). Addresses of faulty memory cells of the semiconductor memory chip (2) are loaded into the multichip module (1) during booting of the application system such that the rerouting circuit (7) reroutes access to a memory cell into the backup data memory in case a faulty memory cell of the semiconductor memory chip (2) is accessed.
(FR)L'invention concerne un procédé de correction de défauts de puces mémoire à semi-conducteur créant un système d'application présentant un module multi-puce (1) comportant une puce mémoire à semi-conducteur (2) comprenant une mémoire volatile et un circuit de réacheminement (7). Lors de l'amorçage du système d'application, des adresses de cellules mémoires défectueuses de la puce mémoire à semi-conducteur sont chargées dans le module multi-puce (1), de telle façon que le circuit de réacheminement (7) réachemine l'accès à une cellule mémoire dans la mémoire de données de sauvegarde, dans le ca où une cellule mémoire défectueuse de la puce mémoire à semi-conducteur (2) est accessible.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)