WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006034694) PUCE OPTOELECTRONIQUE A COUCHE MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/034694    N° de la demande internationale :    PCT/DE2005/001711
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 27.09.2005
CIB :
H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/20 (2010.01), H01L 33/38 (2010.01)
Déposants : OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2, 93049 Regensburg (DE) (Tous Sauf US).
STREUBEL, Klaus [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WIRTH, Ralph [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : STREUBEL, Klaus; (DE).
WIRTH, Ralph; (DE)
Mandataire : EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55, 80339 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 046 792.7 27.09.2004 DE
Titre (DE) OPTOELEKTRONISCHER DÜNNFILMCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC THIN-FILM CHIP
(FR) PUCE OPTOELECTRONIQUE A COUCHE MINCE
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Dünnfilmchip angegeben, der wenigstens einen strahlungsemittierenden Bereich (8) in einer aktiven Zone (7) einer Dünnfilmschicht (2), und eine dem strahlungsemittierenden Bereich (8) nachgeordnete Linse (10, 12), die durch zumindest einen Teilbereich der Dünnfilmschicht (2) gebildet ist aufweist, wobei die laterale Ausdehnung (Φ) der Linse (10, 12) größer ist als die laterale Ausdehnung des strahlungsemittierenden Bereichs (&dgr;). Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Dünnfilmchips angegeben.
(EN)An optoelectronic thin-film chip is disclosed, comprising at least one radiation-emitting region (8) in an active zone (7) of a thin-film layer (2) and a lens (10, 12), arranged after the radiation-emitting region (8), formed by at least a partial region of the thin-film layer (2), whereby the lateral extent (Φ) of the lens (10, 12) is greater than the lateral extent of the radiation-emitting region. The invention further relates to a method for production of such a thin-film chip.
(FR)L'invention concerne une puce optoélectronique à couche mince, comportant au moins une section (8) émettant un rayonnement, dans une zone active (7) d'une couche mince (2), et une lentille (10, 12) placée en aval de la section (8) émettant un rayonnement, laquelle lentille est constituée par au moins une partie de la couche mince (2), l'extension latérale (Φ) de cette lentille (10, 12) étant supérieure à l'extension latérale de la zone (8) émettant un rayonnement. Cette invention concerne également un procédé pour réaliser une puce optoélectronique à couche mince de ce type.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)