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1. (WO2006034672) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS RÉGÉNÉRÉS À L'AIDE D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE DE FORTE INTENSITÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/034672    N° de la demande internationale :    PCT/DE2005/001615
Date de publication : 06.04.2006 Date de dépôt international : 15.09.2005
CIB :
H01L 21/265 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01), H01L 21/268 (2006.01)
Déposants : FORSCHUNGSZENTRUN ROSSENDORF E.V. [DE/DE]; Bautzner Landstrasse 128, 01328 Dresden (DE) (Tous Sauf US).
VOELSKOW, Matthias [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ANWAND, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
SKORUPA, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : VOELSKOW, Matthias; (DE).
ANWAND, Wolfgang; (DE).
SKORUPA, Wolfgang; (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 047 594.6 30.09.2004 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR BEHANDLUNG VON HALBLEITERSUBSTRATEN, DIE MITTELS INTENSIVEN LICHTIMPULSEN AUSGEHEILT WERDEN
(EN) METHOD FOR TREATING SEMICONDUCTOR SUBSTRATES THAT ARE ANNEALED BY MEANS OF INTENSIVE LIGHT PULSES
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS SEMI-CONDUCTEURS RÉGÉNÉRÉS À L'AIDE D'IMPULSIONS DE LUMIÈRE DE FORTE INTENSITÉ
Abrégé : front page image
(DE)Die Aufgabe der Erfindung besteht darin, den Vertikalaufbau der mit Hilfe der Lichtimpulsbestrahlung auszuheilenden heteroepitaktischen Siliziumkarbid auf Silizium- Strukturen so zu modifizieren, dass eine ebene Schmelzfront erreicht wird. Die erfindungsgemäße Lösung beinhaltet, dass unter die Oberfläche des Halbleitersubstrates vor der Lichtimpulsbestrahlung ein den Schmelzpunkt des Substrates erhöhendes Element durch Ionenimplantation eingebracht wird.
(EN)The aim of the invention is to modify the vertical structure of the heteroepitaxial silicon carbide on silicon structures. This heteroepitaxial silicon carbide is to be annealed with the aid of light pulse irradiation. The vertical structure is to be modified in order to achieve an even melting front. To this end, the invention provides that an element that increases the melting point of the substrate is placed by ion implantation under surface of the semiconductor substrate before light pulse irradiation.
(FR)L'objet de la présente invention est de modifier la structure verticale de structures carbure de silicium sur silicium hétéroépitaxiales à régénérer à l'aide d'une exposition à des impulsions de lumière, de manière à obtenir un front de fusion égal. A cet effet, un élément augmentant le point de fusion du substrat est déposé par implantation ionique sous la surface du substrat semi-conducteur, avant l'exposition aux impulsions de lumière.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)