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1. (WO2006033717) TRANSISTORS DE MEMOIRE NON-VOLATILE A NANOCRISTAUX FAISANT APPEL A LA IONISATION PAR CHOC A FAIBLE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/033717    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/028212
Date de publication : 30.03.2006 Date de dépôt international : 09.08.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.07.2006    
CIB :
H01L 29/788 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : LOJEK, Bohumil; (US)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; Schneck & Schneck, P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
10/946,727 21.09.2004 US
Titre (EN) NON-VOLATILE NANOCRYSTAL MEMORY TRANSISTORS USING LOW VOLTAGE IMPACT IONIZATION
(FR) TRANSISTORS DE MEMOIRE NON-VOLATILE A NANOCRISTAUX FAISANT APPEL A LA IONISATION PAR CHOC A FAIBLE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)A low voltage non-volatile charge storage transistor (21) has a nanocrystal layer (33) for permanently storing charge until erased. A subsurface charge injector (15, 151, 152) generates secondary carriers by stimulating electron-hole current flowing toward the substrate (10), with some carriers impacting charge in nanocrystals. The charge injector is a p-n junction diode (15, 43, 47) where one polarity is source and drain electrodes (43 & 47, 45 & 49) and the other polarity is two split doped regions (151, 152) in the substrate partially overlapping the active area (11) on opposite sides of the active area. Any misalignment of masks for making the injected doped portions is inconsequential because a misalignment on one side of the active area offsets the corresponding misalignment on the other side. The injector implanted portions with overlap in the active area always have the same total area in the active area. This leads to programming reliability.
(FR)L'invention concerne un transistor (21) de stockage de charge non-volatile à faible tension, ce transistor étant pourvu d'une couche nanocristalline (33) pour un stockage permanent de charge jusqu'à effacement. Un injecteur de charge (15, 151, 152) sous la surface génère des porteurs secondaires par stimulation d'un courant de trou d'électron se dirigeant vers le substrat (10), certains porteurs envoyant la charge dans des nanocristaux. L'injecteur de charge est une diode à jonction p-n (15, 43, 47) dans laquelle une polarité est formée d'électrodes sources et drains (43 & 47, 45 & 49) et l'autre polarité est formée de deux zones dopées séparées (151, 152) dans le substrat, chevauchant partiellement la zone active (11) sur des côtés opposés de la zone active. Un décalage quelconque de masques pour la réalisation des parties dopées injectées est sans conséquence puisqu'un décalage sur un côté de la zone active déplace le décalage correspondant sur l'autre côté. Les parties implantées par injecteur avec chevauchement dans la zone active ont toujours la même superficie totale dans la zone active, d'où une fiabilité de programmation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)