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1. (WO2006033474) PROCEDE DE PRODUCTION DE GAZ FLUORE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/033474    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018065
Date de publication : 30.03.2006 Date de dépôt international : 22.09.2005
CIB :
C01B 7/20 (2006.01), B01J 19/24 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo, 1058518 (JP) (Tous Sauf US).
OKA, Masakazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUYO, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TORISU, Junichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKA, Masakazu; (JP).
FUKUYO, Tomoyuki; (JP).
TORISU, Junichi; (JP)
Mandataire : SUZUKI, Shunichiro; S.SUZUKI & ASSOCIATES, Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo, 1410031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-277382 24.09.2004 JP
60/624,528 04.11.2004 US
Titre (EN) PROCESS FOR PRODUCING FLUORINE GAS
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE GAZ FLUORE
Abrégé : front page image
(EN) A process for producing a fluorine gas of the invention comprises a step (1) of generating a fluorine gas by sectioning the interior of a fluorine gas generation container equipped with a heating means, by the use of a structure having gas permeability, then filling each section with a high-valence metal fluoride and heating the high-valence metal fluoride. The process may comprise a step (2) of allowing the high-valence metal fluoride, from which a fluorine gas has been generated in the step (1), to occlude a fluorine gas. According to the process of the invention, a high-purity fluorine gas that is employable as an etching gas or a cleaning gas in the process for manufacturing semiconductors or liquid crystals can be produced inexpensively on a mass scale.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un gaz fluoré comprenant une étape (1) consistant à générer un gaz fluoré par découpage en parties de l'intérieur d'un conteneur de production de gaz fluoré équipé d'un moyen de chauffage, à l'aide d'une structure ayant une perméabilité au gaz, ensuite par remplissage de chaque partie avec un fluorure de métal à haute valence puis par chauffage du fluorure de métal à haute valence. Le procédé peut comprendre une étape (2) consistant à laisser le fluorure de métal à haute valence, à partir duquel le gaz fluoré a été produit à l'étape (1), occlure un gaz fluoré. Selon le procédé de l'invention, un gaz fluoré très pur peut être produit à bon marché sur une très grande échelle lequel peut être utilisé comme gaz de gravure ou gaz nettoyant dans le procédé de production de semi-conducteurs ou de cristaux liquides.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)