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1. (WO2006033465) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF, ET LIQUIDE DE TRAITEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/033465    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/018049
Date de publication : 30.03.2006 Date de dépôt international : 22.09.2005
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), C23C 18/16 (2006.01), C23C 18/50 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01)
Déposants : EBARA CORPORATION [JP/JP]; 11-1, Haneda Asahi-cho Ohta-ku, Tokyo 1448510 (JP) (Tous Sauf US).
TAKAGI, Daisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WANG, Xinming [CN/JP]; (JP) (US Seulement).
OWATARI, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUNAGA, Akira [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TASHIRO, Akihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : TAKAGI, Daisuke; (JP).
WANG, Xinming; (JP).
OWATARI, Akira; (JP).
FUKUNAGA, Akira; (JP).
TASHIRO, Akihiko; (JP)
Mandataire : WATANABE, Isamu; GOWA Nishi-Shinjuku 4F, 5-8 Nishi-Shinjuku 7-chome, Shinjuku-ku Tokyo 10600023 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-276109 22.09.2004 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND TREATMENT LIQUID
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF, ET LIQUIDE DE TRAITEMENT
(JA) 半導体装置及びその製造方法、並びに処理液
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device is provided with a wiring wherein an alloy film having a required minimum thickness and diffusion preventing effects to, for instance, oxygen and copper, is formed more uniformly in thickness entirely over a board and protected, while reducing dependence on a wiring pattern. In the semiconductor device, at least at one portion on the circumference of the embedded wiring formed by embedding a wiring material in a wiring recessed part formed in an insulator on the board, the alloy film containing a tungsten or molybdenum of 1-9 atomic % and a phosphorous or boron of 3-12 atomic % is formed by electroless plating.
(FR)L’invention porte sur un dispositif semi-conducteur avec un câblage où l'on forme un film allié d’une épaisseur minimale requise et ayant des effets de prévention de diffusion vers, par exemple, l’oxygène et le cuivre, de manière plus uniforme au niveau de l’épaisseur intégralement sur une carte et protégé, tout en réduisant la dépendance à un motif de câblage. Dans le dispositif semi-conducteur, au moins en une portion de la circonférence du câblage noyé formé par incrustation d’un matériau de câblage dans une partie rétreinte de câblage constituée dans un isolant sur la carte, le film allié contenant du tungstène ou du molybdène à hauteur de 1 à 9 % atomique et du phosphore ou du bore à hauteur de 3 à 12 % atomique est formé par placage autocatalytique.
(JA)半導体装置は、例えば酸素や銅に対する拡散防止効果を有する必要最小限の膜厚の合金膜を、配線パターンへの依存性を軽減しつつ、基板の全域に亘ってより均一な膜厚で形成して保護した配線を有する。半導体装置は、基板上の絶縁体内に形成した配線用凹部内に配線材料を埋込んで形成した埋込み配線の周囲の少なくとも一部に、タングステンまたはモリブデンを1~9atomic%、リンまたはボロンを3~12atomic%含有する合金膜を無電解めっきで形成して構成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)