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1. (WO2006033451) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/033451    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/017905
Date de publication : 30.03.2006 Date de dépôt international : 20.09.2005
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), G06K 19/07 (2006.01), G06K 19/077 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
KUWABARA, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KUWABARA, Hideaki; (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-277538 24.09.2004 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method for manufacturing massively and efficiently a minute device which can receive or send data in contact, preferably, out of contact by forming an integrated circuit which is formed by a thin film over a large glass substrate and by peeling the integrated circuit from the substrate. Especially, an integrated circuit which is formed by a thin film is extremely thin, and so there is a threat that the integrated circuit is flied when transporting, and so handling thereof is difficult. In accordance with the present invention, a separating layer (also referred to as a peeling layer) is damaged at a plurality of times by at least two different kinds of methods (a damage due to laser light irradiation, a damage due to etching, or a damage due to a physical means), subsequently, the layer to be peeled can be efficiently peeled from a substrate. Further, handling of individual devices becomes easy by arching the peeled device.
(FR)La présente invention porte sur un procédé de fabrication en masse et de manière efficace d’un dispositif compact susceptible de recevoir ou d’envoyer des données en contact, de préférence hors contact, en constituant un circuit intégré que l’on obtient avec un film mince sur un gros substrat de verre et en séparant le circuit intégré du substrat. En particulier, un circuit intégré que l’on obtient avec un film mince, est extrêmement mince et donc le risque est grand de voir le circuit intégré endommagé pendant le transport, ce qui rend sa manipulation difficile. Conformément à la présente invention, une couche de séparation (également référencée comme couche de détachement) est endommagée plusieurs fois selon au moins deux types de procédés différents (un dégât provoqué par irradiation de lumière laser, un dégât par attaque chimique ou un dégât lié à un moyen physique), suite à quoi, la couche à détacher peut être séparée de manière efficace d’un substrat. En outre, la manipulation de dispositifs individuels est facilitée par la courbure du dispositif détaché.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)