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1. (WO2006033442) MASQUE REFLECHISSANT, PROCEDE DE FABRICATION DE MASQUE REFLECHISSANT ET APPAREIL D'EXPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/033442    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/017662
Date de publication : 30.03.2006 Date de dépôt international : 20.09.2005
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/20 (2006.01)
Déposants : NIKON CORPORATION [JP/JP]; 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008331 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAMOTO, Hajime [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIRAISHI, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAMOTO, Hajime; (JP).
SHIRAISHI, Masayuki; (JP)
Mandataire : HOSOE, Toshiaki; Corpo Fuji 605 3-6, Nishikanagawa 1-chome Kanagawa-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2210822 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-274591 22.09.2004 JP
2005-146769 19.05.2005 JP
Titre (EN) REFLECTIVE MASK, REFLECTIVE MASK MANUFACTURING METHOD AND EXPOSURE APPARATUS
(FR) MASQUE REFLECHISSANT, PROCEDE DE FABRICATION DE MASQUE REFLECHISSANT ET APPAREIL D'EXPOSITION
(JA) 反射型マスク、反射型マスクの製造方法及び露光装置
Abrégé : front page image
(EN)On a substrate (1), a reflection film (2) is formed, and on the surface of the reflection film, a capping layer (3) having a thickness not preventing reflection is formed. On the capping layer (3), a buffer layer (5) and an absorbing body (4) whereupon a pattern is formed are film-formed. On the rear plane of the substrate (1), a conductive film (6) is formed to be grounded for preventing the substrate (1) from being electrostatically charged. A conductive film (7) is formed to cover the surfaces of the substrate (1), the reflection film (2), the capping layer (3), the absorbing body (4) and the buffer layer (5). The conductive film (7) is electrically continuous to the conductive film (6) and the potential is dropped to a ground level at the time of being arranged in an EUV exposure apparatus.
(FR)Selon l'invention, un film réfléchissant (2) est formé sur un substrat (1), une couche de recouvrement (3) ayant une épaisseur n'empêchant pas la réflexion étant formée sur la surface de ce film réfléchissant. Sur cette couche de recouvrement (3) sont formés, sous la forme d'un film, une couche tampon (5) et un corps absorbant (4) sur lesquels un motif est formé. Sur le plan arrière du substrat (1), un film conducteur (6) est formé pour être mis à la masse afin d'empêcher le substrat (1) d'être soumis à une charge électrostatique. Un film conducteur (7) est formé pour couvrir les surfaces du substrat (1), du film réfléchissant (2), de la couche de recouvrement (3), du corps absorbant (4) et de la couche tampon (5). Ce film conducteur (7) est en liaison électrique avec le film conducteur (6) et le potentiel est abaissé à un niveau plancher au moment où il est disposé dans un appareil d'exposition aux UV extrêmes.
(JA) 基板1の上には、反射膜2が形成されており、その表面には反射を妨げないような厚さのキャッピング層3が形成されている。そして、キャッピング層3の上に、バッファ層5と、パターンが形成された吸収体4が成膜されている。基板1の裏面には、基板1の帯電を防止するために接地される導電膜6が形成されている。基板1、反射膜2、キャッピング層3、吸収体4、バッファ層5の表面を覆うように、導電膜7が成膜されている。導電膜7は、導電膜6と導通しており、EUV露光装置内に設置される際に、接地レベルに落とされる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)