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1. (WO2006033303) AMPLIFICATEUR A HAUTE FREQUENCE DE TYPE EER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/033303    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/017174
Date de publication : 30.03.2006 Date de dépôt international : 16.09.2005
CIB :
H03F 3/193 (2006.01), H03F 3/24 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
UCHIYAMA, Kazuhiro; (US Seulement).
OHKAWA, Shinji; (US Seulement)
Inventeurs : UCHIYAMA, Kazuhiro; .
OHKAWA, Shinji;
Mandataire : WASHIDA, Kimihito; 5th Floor, Shintoshicenter Bldg. 24-1, Tsurumaki 1-chome Tama-shi, Tokyo 2060034 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-273890 21.09.2004 JP
Titre (EN) EER HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR A HAUTE FREQUENCE DE TYPE EER
(JA) EER高周波増幅器
Abrégé : front page image
(EN)An EER high frequency amplifier wherein the dynamic range of the gain can be widened by performing a predetermined control of a device in a high frequency amplifying part and thereby enhancing the isolation within the device. In an EER high frequency amplifier (1), an envelope detecting part (2) extracts an amplitude signal from an input high frequency signal, while a limiter (3) extracts a phase signal therefrom. A baseband amplifying part (4) generates a voltage in accordance with the amplitude signal and supplies it as the drain voltage of a GaAs FET (5a) of a high frequency amplifying part (5). When the drain voltage is below a predetermined first reference voltage, a gate voltage control part (6) holds an initially established gate voltage. When the drain voltage exceeds the first reference voltage, the gate voltage control part (6) so controls the gate voltage as to be proportional to the drain voltage. Moreover, when the drain voltage is above a second reference voltage that is higher than the first reference voltage, the gate voltage control part (6) holds the initially established gate voltage. When the drain voltage is below the second reference voltage, the gate voltage control part (6) so controls the gate voltage as to be proportional to the drain voltage.
(FR)L'invention concerne un amplificateur à haute fréquence de type EER dans lequel la plage de gain dynamique peut être élargie en effectuant la commande prédéterminée d'un dispositif dans une partie d'amplification à haute fréquence, ce qui améliore l'isolement à l'intérieur du dispositif. Dans un amplificateur à haute fréquence de type EER (1), une partie de détection d'enveloppe (2) extrait un signal d'amplitude à partir d'un signal d'entrée à haute fréquence, alors qu'un limiteur (3) extrait de celui-ci un signal de phase. Une partie d'amplification en bande de base (4) génère une tension en fonction du signal d'amplitude et elle la fournit en tant que tension de drain d'un transistor FET en GaAs (5a) d'une partie d'amplification à haute fréquence (5). Lorsque la tension de drain est inférieure à une première tension de référence prédéterminée, une partie de commande de tension de grille (6) maintient la tension de grille initialement établie. Lorsque la tension de drain dépasse la première tension de référence, la partie de commande de tension de grille (6) commande la tension de grille de façon à ce qu'elle soit proportionnelle à la tension de drain. De plus, lorsque la tension de drain est supérieure à une seconde tension de référence, qui est supérieure à la première tension de référence, la partie de commande de tension de grille (6) maintient la tension de grille initialement établie. Lorsque la tension de drain est inférieure à la seconde tension de référence, la partie de commande de tension de grille (6) commande la tension de grille de façon à ce qu'elle soit proportionnelle à la tension de drain.
(JA) 高周波増幅部のデバイスに所定の制御を行うことによりデバイス内部のアイソレーションを向上させ、利得のダイナミックレンジを拡大させることができるEER高周波増幅器。EER高周波増幅器(1)では、入力された高周波信号から、包絡線検出部(2)が振幅信号を抽出し、リミッタ(3)が位相信号を抽出する。ベースバンド増幅部(4)は振幅信号に応じた電圧を発生して高周波増幅部(5)のGaAsFET5aのドレイン電圧として供給する。ゲート電圧制御部(6)は、ドレイン電圧が予め設定した第1の基準電圧以下の時は初期設定したゲート電圧を保持し、ドレイン電圧が第1の基準電圧以上になるとゲート電圧をドレイン電圧と比例させて制御する。又、ドレイン電圧が第1の基準電圧より高い電圧である第2の基準電圧以上の時は、初期設定したゲート電圧を保持し、ドレイン電圧が第2の基準電圧以下のときにはゲート電圧をドレイン電圧と比例させて制御する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)