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1. (WO2006033268) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/033268    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/016897
Date de publication : 30.03.2006 Date de dépôt international : 14.09.2005
CIB :
H01B 5/14 (2006.01), H01B 13/00 (2006.01), C23C 16/40 (2006.01)
Déposants : Konica Minolta Holdings, Inc. [JP/JP]; 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
KIYOMURA, Takakazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MAMIYA, Chikao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUDO, Ichiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUJI, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAITO, Atsushi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KIYOMURA, Takakazu; (JP).
MAMIYA, Chikao; (JP).
KUDO, Ichiro; (JP).
TSUJI, Toshio; (JP).
SAITO, Atsushi; (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-276934 24.09.2004 JP
Titre (EN) TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
(FR) FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) 透明導電膜
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a transparent conductive film which is excellent in crack resistance and adhesion to a base while maintaining high transparency and conductivity. Specifically disclosed is a transparent conductive film which is characterized in that low-density metal oxide layers and high-density metal oxide layers respectively composed of metal oxides are alternately arranged therein and it satisfies the condition defined by the formula (1) below when M1 represents the density in the low-density metal oxide layers and M2 represents the density in the high-density metal oxide layers. 1.01 ≤ M2/M1 ≤ 1.400
(FR)Cette invention concerne un film conducteur transparent, excellent en termes de résistance aux fissures et d'adhérence à une base, tout en conservant une transparence et une conductivité élevées. Cette invention concerne de manière spécifique un film conducteur transparent qui est caractérisé en ce que des couches d'oxyde métallique à faible densité et des couches d'oxyde métallique à haute densité, respectivement composées d'oxydes métalliques, sont disposées dans celui-ci de manière alternée, et en ce qu'il satisfait à la condition définie par la formule (1) ci-dessous, dans laquelle M1 représente la densité dans les couches d'oxyde métallique à faible densité et M2 représente la densité dans les couches d'oxyde métallique à haute densité. 1,01 ≤ M2/M1 ≤ 1,400
(JA) 本発明の目的は、高い透明性と導電性を維持すると共に、基材との密着性及びクラック耐性に優れた透明導電膜を提供することにある。金属酸化物から構成される低密度金属酸化物層と高密度金属酸化物層とを交互に積層し、該低密度金属酸化物層における密度をM1とし、該高密度金属酸化物層における密度をM2とした時、下記式(1)で規定する条件を満たすことを特徴とする透明導電膜。  式(1)    1.01≦M2/M1≦1.400
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)