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1. (WO2006033082) STRUCTURE DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A ENRICHISSEMENT ET A DEPLETION ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/033082    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/053134
Date de publication : 30.03.2006 Date de dépôt international : 22.09.2005
CIB :
H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 27/095 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
BAUDET, Pierre, M., M. [FR/FR]; (GB) (US Seulement).
MAHER, Hassan [MA/FR]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : BAUDET, Pierre, M., M.; (GB).
MAHER, Hassan; (GB)
Mandataire : WHITE, Andrew, G.; c/o Philips Intellectual Property & Standards, Cross Oak Lane, Redhill, Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
04300620.4 24.09.2004 EP
Titre (EN) ENHANCEMENT - DEPLETION FIELD EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE
(FR) STRUCTURE DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A ENRICHISSEMENT ET A DEPLETION ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a transistor structure with both enhancement and depletion mode transistors. In order to allow good control over the manufacture of both transistors, a first Schottky layer (10) and a second Schottky layer (12) are used made of first and second semiconductor materials respectively. The first and second materials having band gaps of at least 0.5V. For an n-type transistor the second Schottky layer has a low conduction band discontinuity with the first Schottky layer. Both the first and the second Schottky layers are used as etch stops in the method for making the transistor. The transistor is preferably a HEMT.
(FR)L'invention porte sur une structure de transistors fonctionnant en mode enrichissement ou déplétion. Pour pouvoir assurer un contrôle efficace de la fabrication des deux types de transistors, on utilise une première couche Schottky (10) et une deuxième couche Schottky (12) respectivement constituées d'un premier et d'un deuxième matériau conducteur présentant chacun une largeur de bande interdite d'au moins 0,5V. Pour un transistor de type n, la deuxième couche Schottky présente une faible discontinuité de la bande de conduction avec la première couche Schottky. La première et la deuxième couches Schottky servent l'une et l'autre de butées de décapage lors de la fabrication du transistor. Un tel transistor est de préférence un HEMT.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)