WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006031777) COMMUTATEURS CAPACITIFS SOURCE/DRAIN-GRILLE ET VARACTORS A LARGE GAMME DE SYNTONISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/031777    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/032494
Date de publication : 23.03.2006 Date de dépôt international : 12.09.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    07.07.2006    
CIB :
H01L 27/06 (2006.01), H01L 29/93 (2006.01), H03K 17/567 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; 223 Grinter Hall, Gainesville, FL 32611 (US) (Tous Sauf US).
YIM, Seong-Mo [KR/US]; (US) (US Seulement).
O, Kenneth Kyongyop [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : YIM, Seong-Mo; (US).
O, Kenneth Kyongyop; (US)
Mandataire : JETTER, Neil, R.; Akerman, Senterfitt, Customer No. 30448, P.O. Box 3188, West Palm Beach, FL 33402-3188 (US)
Données relatives à la priorité :
60/608,558 10.09.2004 US
Titre (EN) CAPACITIVE CIRCUIT ELEMENT AND METHOD OF USING THE SAME
(FR) COMMUTATEURS CAPACITIFS SOURCE/DRAIN-GRILLE ET VARACTORS A LARGE GAMME DE SYNTONISATION
Abrégé : front page image
(EN)A two-terminal capacitive circuit element 100 includes a MOS transistor including a source 126 and drain 127 separated by a body region 131, and a gate 105 separated from the body 129 by a gate insulator layer 110, and a bypass capacitor 125. The gate node (port­2;115) is AC grounded through the bypass capacitor 125 and the source 126 and drain 127 are tied together (port-1; 120). By toggling the transistor on and off using an appropriate gate to body voltage, the capacitance of the capacitive circuit element 100 between port-1 and port-2 significantly changes.
(FR)Cette invention concerne un élément de circuit capacitif dipôle (100) comprenant un transistor MOS comprenant une source (126) et un drain (127) séparés par une région de corps (131) et une grille (105) séparée du corps (129) par une couche d'isolation de grille (110), et un condensateur de dérivation (125). Le noeud de grille (port-2; 115) est mis à la terre en courant alternatif au moyen du condensateur de dérivation (125) et la source (126) et le drain (127) sont reliés (port-1; 120). L'activation et la désactivation du transistor à l'aide d'une tension grille-corps appropriée entraîne une variation sensible de la capacitance de l'élément de circuit capacitif (100) entre le port-1 et le port-2.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)