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1. (WO2006031354) DEPHASEUR DE GUIDE D'ONDES SEMI-CONDUCTEUR DE VITESSE ELEVEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/031354    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/029067
Date de publication : 23.03.2006 Date de dépôt international : 16.08.2005
CIB :
G02F 1/025 (2006.01)
Déposants : LUCENT TECHNOLOGIES INC. [US/US]; 600 Mountain Avenue, Murray Hill, NJ 07974 (US) (Tous Sauf US).
GILL, Douglas, M [US/US]; (US) (US Seulement).
MADSEN, Christi, K [US/US]; (US) (US Seulement).
RAFFERTY, Conor, S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GILL, Douglas, M; (US).
MADSEN, Christi, K; (US).
RAFFERTY, Conor, S.; (US)
Mandataire : KOLEFAS, Chris; Brosemer, Kolefas & Associates, LLC, 1 Bethany Road, Hazlet, NJ 07730 (US)
Données relatives à la priorité :
60/601,723 16.08.2004 US
11/161,744 15.08.2005 US
Titre (EN) HIGH-SPEED SEMICONDUCTOR WAVEGUIDE PHASE-SHIFTER
(FR) DEPHASEUR DE GUIDE D'ONDES SEMI-CONDUCTEUR DE VITESSE ELEVEE
Abrégé : front page image
(EN)An optical phase shifter (100) comprises a semiconductor waveguide (105) includes a core region (116) and a doped region (115a, 115b) containing free charges (electrons or holes), which can be steered into or removed from the wave guide, where an optical beam (150) propagates. A semiconductor structure (PN junction 112, 114) allows the control of the amount of free charges in the doped region, which constitutes a potential well. When the well is filled, the charges speed the beam propagation, introducing a phase change. When the well is emptied, (under application of a reverse bias to the junction 112, 114), the beam propagates with extra delay. The phase shifter allows very high speed modulation of the beam using low voltage and low power electronics. The device can be created using standard silicon processing techniques, and integrated with other optical components such as splitters and combiners to create amplitude modulators, attenuators and other optical devices.
(FR)Selon l'invention, un déphaseur optique (100) comprend un guide d'ondes semi-conducteur (105) pourvu d'une région centrale (116) et d'une région dopée (115a, 115b) contenant des charges libres (électrons ou trous) qui peuvent être guidées dans le guide d'ondes ou éliminées du guide d'ondes, où un faisceau optique (150) se propage. Une structure semi-conductrice (jonction PN 112, 114) permet la commande de la quantité de charges libres dans la région dopée, qui constitue un puits de potentiel. Lorsque le puits est rempli, les charges accélèrent la propagation du faisceau, ce qui introduit un changement de phase. Lorsque le puits est vidé, (avec l'application d'une polarisation inverse au niveau de la jonction 112, 114), le faisceau se propage avec un retard supplémentaire. Le déphaseur permet une modulation à vitesse très élevée du faisceau, au moyen de dispositifs électroniques de basse tension et de courant faible. Le dispositif peut être créé au moyen de techniques de traitement du silicium traditionnels et intégré dans d'autres composants optiques, tels que des séparateurs et des mélangeurs, de façon à engendrer des modulateurs d'amplitudes, des atténuateurs et d'autres dispositifs optiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)