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1. (WO2006031017) PROCEDE DE RECUIT DE FILMS MINCES DE SILICIUM AU MOYEN D'UNE COUCHE CONDUCTRICE ET FILMS MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN PREPARES PAR CE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/031017    N° de la demande internationale :    PCT/KR2005/002588
Date de publication : 23.03.2006 Date de dépôt international : 10.08.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    11.04.2006    
CIB :
H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : RO, Jae-Sang [KR/KR]; (KR).
HONG, Won-Eui [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : RO, Jae-Sang; (KR).
HONG, Won-Eui; (KR)
Mandataire : SOHN, Chang Kyu; 1403, Seongji Heights 2-cha Bldg., 642-16, Yoksam 1-dong, Kangnam-gu, Seoul 135-910 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2004-0074493 17.09.2004 KR
Titre (EN) METHOD FOR ANNEALING SILICON THIN FILMS USING CONDUCTIVE LAYERAND POLYCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS PREPARED THEREFROM
(FR) PROCEDE DE RECUIT DE FILMS MINCES DE SILICIUM AU MOYEN D'UNE COUCHE CONDUCTRICE ET FILMS MINCES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN PREPARES PAR CE PROCEDE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method of annealing silicon thin film, which comprises providing a conductive layer underneath a silicon thin film, applying an electric field to the conductive layer to induce Joule heating and thereby to generate intense heat, and carrying out crystallization, elimination of crystal lattice defects, dopant activation, thermal oxidation and the like, of the silicon thin film; and a polycrystalline silicon thin film having high quality prepared by the method. The annealing method of the invention provides a polycrystalline silicon thin film which has virtually no crystal lattice defects, which is completely free from contamination by catalyst metal appearing in polycrystalline silicon thin films produced by crystallization methods such as MIC and MILC, and at the same time, is not accompanied by surface protrusions appearing in polycrystalline silicon thin films produced by ELC, while not incurring thermal deformation of glass substrate.
(FR)Cette invention concerne un procédé de recuit d'un film mince de silicium, qui consiste à former une couche conductrice sous un film mince de silicium, à appliquer un champ électrique sur cette couche conductrice, en vue de produire un effet chauffant de Goule et à générer ainsi une chaleur intense, et à réaliser ensuite la cristallisation, l'élimination des défauts du réseau cristallin, l'activation par dopant, l'oxydation thermique et autre opération similaire sur le film mince de silicium, cette invention concerne également un film mince de silicium polycristallin de haute qualité préparé par ce procédé. Ce procédé de recuit permet de former un film mince de silicium polycristallin n'ayant virtuellement aucun défaut du réseau cristallin, qui est complètement exempt de contamination par métal catalytique apparaissant dans les films minces de silicium polycristallin produit par des procédés de cristallisation tels que MIC et MILC et qui, en même temps, ne s'accompagnent pas des saillies de surface apparaissant dans les films minces de silicium polycristallin produits par ELC, tout en ne subissant pas de déformation thermique du substrat de verre.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)