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1. (WO2006030836) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF MAGNÉTO-OPTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/030836    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/016967
Date de publication : 23.03.2006 Date de dépôt international : 14.09.2005
CIB :
G02F 1/09 (2006.01)
Déposants : FDK CORPORATION [JP/JP]; 36-11, Shinbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP) (Tous Sauf US).
IWASAKI, Katsuhiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UMEZAWA, Hiromitsu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IWASAKI, Katsuhiro; (JP).
UMEZAWA, Hiromitsu; (JP)
Mandataire : ISSHIKI & CO.; Rookin-Shinbashi Bldg. 12-7, Shinbashi 2-chome Minato-ku, Tokyo 105-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-270411 16.09.2004 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETOOPTICAL DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN DISPOSITIF MAGNÉTO-OPTIQUE
(JA) 磁気光学デバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Parts of a board having excellent crystallinity are provided with surface layers whose crystallinity is deteriorated by heat treatment, and a magnetic film is epitaxially grown on the surface layers. Thus, crystal structure of the magnetic film is two-dimensionally varied on parts above the surface layer and the rest of the parts.
(FR)La présente invention concerne des pièces d'une carte ayant une excellente cristallinité qui sont produites avec des couches de surface dont la cristallinité est détériorée par un traitement thermique et un film magnétique qui est soumis à une croissance épitaxiale sur les couches de surface. Ainsi, la structure cristalline du film magnétique est modifiée en deux dimensions sur les pièces au-dessus de la couche de surface et sur le reste des pièces.
(JA) 結晶性の良好な基板上に、熱処理により結晶性を悪化させた表面層を部分的に形成し、それらの上に磁性膜をエピタキシャル成長させることにより、前記表面層上の部分とそれ以外の部分とで磁性膜の結晶構造が2次元的に異なるようにした磁気光学デバイスの製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)