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1. (WO2006030814) ÉLÉMENT DE RÉSISTANCE VARIABLE ET MÉMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/030814    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/016913
Date de publication : 23.03.2006 Date de dépôt international : 14.09.2005
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), G11C 13/02 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
KANNO, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ODAGAWA, Akihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGITA, Yasunari [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAI, Akihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ADACHI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KANNO, Tsutomu; (JP).
ODAGAWA, Akihiro; (JP).
SUGITA, Yasunari; (JP).
SAKAI, Akihiro; (JP).
ADACHI, Hideaki; (JP)
Mandataire : SAEGUSA, Eiji; Kitahama TNK Building 1-7-1, Doshomachi, Chuo-ku Osaka-shi Osaka 541-0045 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-266381 14.09.2004 JP
Titre (EN) RESISTANCE VARIABLE ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY
(FR) ÉLÉMENT DE RÉSISTANCE VARIABLE ET MÉMOIRE NON VOLATILE
(JA) 抵抗変化素子及びそれを用いた不揮発性メモリ
Abrégé : front page image
(EN)A resistance variable element in which deterioration in resistance variability is suppressed even when it is heat treated in a reducing atmosphere, and a nonvolatile memory comprising such a resistance variable element. A resistance variable element (1) comprises a material layer of an oxide semiconductor having a perovskite structure represented by the chemical formula: RMCoO3 (where, R represents a rare earth element and M represents an alkaline earth element), and first and second electrodes electrically connected with the material layer. A nonvolatile memory (2) comprises the resistance variable element and a transistor electrically connected to the resistance variable element.
(FR)L’invention concerne un élément de résistance variable dans lequel la baisse de variabilité de la résistance est supprimée même en cas de traitement thermique dans une atmosphère de réduction, et une mémoire non volatile comprenant un tel élément de résistance variable. Un élément de résistance variable (1) comprend une couche de matériau composée d’un semi-conducteur d’oxyde de structure perovskite représentée par la formule chimique : RMCoO3 (où R représente un élément de terre rare et M représente un élément de terre alcaline), ainsi qu’une première électrode et une seconde électrode électriquement connectées à la couche de matériau. Une mémoire non volatile (2) comprend l’élément de résistance variable et un transistor électriquement connecté à l’élément de résistance variable.
(JA) 本発明は、還元雰囲気下における熱処理を施した場合でも、抵抗変化の能力の低下が抑制されている抵抗変化素子及びそれを用いた不揮発性メモリを提供する。  本発明は、具体的には、(1)化学式:RMCoO(但し、Rは希土類元素を示し、Mはアルカリ土類元素を示す)で示されるペロブスカイト構造を有する酸化物半導体からなる材料層と、前記材料層に対して電気的に接続された2つの電極である第1電極及び第2電極とから構成され、第1電極と第2電極との間に電流又は電圧を印加することによって材料層の抵抗が変化する抵抗変化素子並びに(2)前記抵抗変化素子とトランジスタとを有し、前記抵抗変化素子とトランジスタとは電気的に接続されている不揮発性メモリ、を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)