WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006030617) PROCEDE ET APPAREIL D'EPITAXIE EN PHASE VAPEUR POUR ALGAN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/030617    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/015529
Date de publication : 23.03.2006 Date de dépôt international : 26.08.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.06.2006    
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01)
Déposants : TOKYO UNIVERSITY OF AGRICULTURE AND TECHNOLOGY TLO CO., LTD. [JP/JP]; 24-16 Naka-cho 2-chome, Koganei-shi Tokyo, 1848588 (JP) (Tous Sauf US).
KOUKITU, Akinori [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KUMAGAI, Yoshinao [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KOUKITU, Akinori; (JP).
KUMAGAI, Yoshinao; (JP)
Mandataire : ITO, Mitsuru; 6th floor, Yotsuya Chuou Bldg., 2-17, Yotsuya 3-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 160-0004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-251810 31.08.2004 JP
Titre (EN) METHOD OF VAPOR-PHASE GROWING, AND VAPOR-PHASE GROWING APPARATUS, FOR AlGaN
(FR) PROCEDE ET APPAREIL D'EPITAXIE EN PHASE VAPEUR POUR ALGAN
(JA) AlGaNの気相成長方法及び気相成長装置
Abrégé : front page image
(EN)An epitaxial growing method in which a crystal of AlxGa1-xN wherein x is a desirable constituent ratio can be grown on an Si substrate or sapphire substrate according to the HVPE process. Crystal of AlxGa1-xN is grown according to the HVPE process in which use is made of an aluminum material, a gallium material, an ammonia material and a carrier gas. The carrier gas consists of an inert gas and hydrogen, and the partial pressure of hydrogen is set so as to range from 0 to <0.1. As a result, the relationship between feeding ratio among materials and constituent ratio of grown crystal can be made linear, thereby enhancing the controllability of crystal composition.
(FR)L'invention concerne un procédé d'épitaxie en phase vapeur dans laquelle un cristal de AlxGa1-xN, où x représente un ratio de constituants souhaité peut être tiré sur un substrat Si ou un substrat de saphir conformément au processus d'épitaxie en phase vapeur hybride (HVPE). Le cristal de AlxGa1-xN est tiré conformément au processus d'épitaxie en phase vapeur hybride (HVPE) dans lequel différents matériaux, à savoir, de l'aluminium, du gallium, de l'ammoniac et un gaz vecteur sont utilisés. Le gaz vecteur est constitué d'un gaz inerte et d'hydrogène et la pression partielle de l'hydrogène est comprise entre 0 et <0,1. Par conséquent, la relation entre le ratio d'alimentation des différents matériaux et le ratio de constituants du cristal tiré peut être rendue linéaire, ce qui permet de faciliter le contrôle de la composition du cristal.
(JA) HVPE法のサファイア基板上又はSi基板上に、所望の組成比率xのAlGa1-xNの結晶を成長させることができるエピタキシャル成長方法を提供する。  アルミニウム原料と、ガリウム原料と、アンモニア原料と、キャリアガスとを用いたHVPE法によって、AlGa1-xNを結晶成長させる。この際、キャリアガスは、不活性ガスと水素からなり、この水素分圧を0以上0.1未満の範囲に置く。その結果、原料の供給比率と、成長させた結晶の組成比率との間の関係を線形なものにすることができ、結晶組成の制御性が向上する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)