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1. (WO2006030595) PÂTE DE POLISSAGE POUR PLANARISATION CHIMICO-MÉCANIQUE (CMP)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/030595    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/014878
Date de publication : 23.03.2006 Date de dépôt international : 09.08.2005
CIB :
H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD. [JP/JP]; 1-1, Nishi-Shinjuku 2-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1630449 (JP) (Tous Sauf US).
MABUCHI, Katsumi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
AKAHOSHI, Haruo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAMIGATA, Yasuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HABIRO, Masanobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ONO, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MABUCHI, Katsumi; (JP).
AKAHOSHI, Haruo; (JP).
KAMIGATA, Yasuo; (JP).
HABIRO, Masanobu; (JP).
ONO, Hiroshi; (JP)
Mandataire : HIRAKI, Yusuke; Kamiya-cho MT Bldg. 19F, 3-20, Toranomon 4-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-267366 14.09.2004 JP
Titre (EN) POLISHING SLURRY FOR CMP
(FR) PÂTE DE POLISSAGE POUR PLANARISATION CHIMICO-MÉCANIQUE (CMP)
(JA) CMP用研磨スラリー
Abrégé : front page image
(EN)A polishing liquid for CMP comprised of a composition loaded with, for example, a surfactant, a protective film forming agent and an inorganic salt capable of imparting a dissolution accelerating activity to enlarge a difference between polishing speed under non-load and polishing speed under load. By virtue of this polishing liquid for CMP, there can be simultaneously accomplished a speed increase for enhancing CMP productivity and wiring miniaturization/wiring planarization for layer multiplication.
(FR)La présente invention concerne un liquide de polissage pour CMP comprenant une composition chargée avec, par exemple, un agent tensioactif, un agent formant une pellicule protectrice et un sel inorganique capable de conférer une activité d’accélération de la dissolution pour augmenter la différence entre la vitesse de polissage sans charge et la vitesse de polissage avec charge. Grâce à ce liquide de polissage pour CMP, on peut obtenir simultanément une augmentation de la vitesse pour améliorer la productivité de la CMP et une miniaturisation du câblage/planarisation du câblage pour une multiplication des couches.
(JA) 非荷重下における研磨速度と過重下における研磨速度の差を大きくするために溶解促進作用を付与する無機塩、保護膜形成剤、界面活性剤等を添加した組成から構成されるCMP用研磨液により、CMPにおける生産性向上のための高速化、及び、配線の微細化および多層化のための配線の平坦化を両立させる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)