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1. (WO2006030014) STRUCTURES PIEZO-ELECTRIQUES DE TYPE HEMT A ZERO DESORDRE D'ALLIAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/030014    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/054559
Date de publication : 23.03.2006 Date de dépôt international : 13.09.2005
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/15 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01)
Déposants : PICOGIGA INTERNATIONAL [FR/FR]; Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR).
LAHRECHE, Hacène [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
BOVE, Phillipe [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : LAHRECHE, Hacène; (FR).
BOVE, Phillipe; (FR)
Mandataire : TEXIER, Christian; Cabinet REGIMBEAU, 20, rue de Chazelles, F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Données relatives à la priorité :
0409674 13.09.2004 FR
0503173 31.03.2005 FR
Titre (EN) HEMT PIEZOELECTRIC STRUCTURES WITH ZERO ALLOY DISORDER
(FR) STRUCTURES PIEZO-ELECTRIQUES DE TYPE HEMT A ZERO DESORDRE D'ALLIAGE
Abrégé : front page image
(EN)Electronic circuits dedicated to high frequency and high power applications based on Gallium nitride (GaN) suffer from reliability problems. The main reason is a non-homogenous distribution of the electronic density in these structures that originates from alloy disorders at the atomic and micrometric scale. This invention provides means of manufacturing semiconducting structures based on nitrides of III elements (Bal, Ga, In) / N perfectly ordered along a preferred crystalline axis. To obtain this arrangement, the ternary alloy barrier layer is replaced by a barrier layer composed of alternations of binary alloy barrier layers (54, 55). The lack of fluctuation in the composition of these structures improves electron transport properties and makes the distribution more uniform.
(FR)Des circuits électroniques spécifiques d'applications de fréquence élevée et de courant élevé à base de nitrure de gallium (GaN) souffrent de problèmes de fiabilité. La raison principale repose sur une distribution non homogène de la densité électronique dans ces structures qui provient de désordres d'alliage à l'échelle atomique et micrométrique. Cette invention a aussi pour objet un dispositif de fabrication de structures semi-conductrices à base de nitrures d'éléments du groupe III (Bal, Ga, In) / N classés parfaitement le long d'un axe cristallin préféré. Afin d'obtenir cette disposition, la couche de barrière de l'alliage ternaire est remplacée par une couche de barrière composée de successions de couches de barrière en alliage (54, 55). Le manque de fluctuation dans la composition de ces structures permet d'améliorer les propriétés de transport d'électrons et de rendre plus uniforme la distribution.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)