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1. (WO2006029930) APPAREIL ET PROCEDE DE PREPARATION DE SILANES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/029930    N° de la demande internationale :    PCT/EP2005/053544
Date de publication : 23.03.2006 Date de dépôt international : 21.07.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    03.12.2005    
CIB :
B01D 3/00 (2006.01), B01J 8/02 (2006.01), C01B 33/107 (2006.01)
Déposants : DEGUSSA AG [DE/DE]; Bennigsenplatz 1, 40474 Düsseldorf (DE) (Tous Sauf US).
SONNENSCHEIN, Raymund [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
ADLER, Peter [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
PÖPKEN, Tim [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
KAHSNITZ, John [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : SONNENSCHEIN, Raymund; (DE).
ADLER, Peter; (DE).
PÖPKEN, Tim; (DE).
KAHSNITZ, John; (DE)
Représentant
commun :
DEGUSSA AG; Intellectual Property Management, PATENTS + TRADEMARKS, Bau 1042 - PB 15, 45764 Marl (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 045 245.8 17.09.2004 DE
Titre (EN) APPARATUS AND PROCESS FOR PREPARING SILANES
(FR) APPAREIL ET PROCEDE DE PREPARATION DE SILANES
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to an apparatus, for preparing silanes of the general formula HnSiCl4-n where n = 1, 2, 3 and/or 4 by dismutation of at least one relatively highly chlorinated silane in the presence of a catalyst, which is based on at least one distillation column (1) having a column bottom (1.1) and a column top (1.2), at least one side reactor (2) with catalyst bed (3), at least one feed inlet (1.3), a product offtake (1.4) and at least one further product offtake (1.5 or 1.8), where the distillation column (1) is provided with at least one chimney tray (4) and at least one side reactor (2) is connected to the distillation column (1) via at least three pipes (5, 6, 7) in such a way that the connection point of the line (5) to the distillation column (1) for the discharge of the condensate from the chimney tray (4, 4.1) is at a higher level than the upper edge of the catalyst bed (3, 3.1 or 3.2), the line (6) for the discharge of the liquid phase from the side reactor (2) opens (6.1) into the distillation column (1) below the chimney tray (4) and this opening (6, 6.1) is at a lower level than the upper edge of the catalyst bed (3, 3.1 or 3.2) and the line (7) for the discharge of the gas phase from the associated side reactor (2) opens (7.1) into the distillation column (1) above the level (4.1) of the chimney tray (4). Furthermore, the present invention provides a process for preparing said silanes in the apparatus of the invention.
(FR)L'invention porte sur un appareil de préparation de silanes de formule générale HnSiCl4-n dans laquelle n = 1, 2, 3 et/ou 4, cette préparation s'effectuant par dismutation d'au moins un silane à teneur relativement élevé en chlore en présence d'un catalyseur. Cet appareil est constitué d'au moins une colonne de distillation (1) pourvue d'un fond (1.1) et d'un dessus (1.2), d'au moins un réacteur latéral (2) à lit catalyseur (3), d'au moins un orifice d'admission (1.3), d'un orifice de soutirage du produit (1.4) et d'au moins un autre orifice de soutirage du produit (1.5 1.8). La colonne de distillation (1) est pourvue d'au moins un plateau à film (4) et d'au moins un réacteur latéral (2) qui est raccordé à la colonne de distillation (1) par au moins trois tuyaux (5, 6, 7) de sorte que le point de raccordement de la conduite (5) reliée à la colonne de distillation (1) pour l'évacuation du condensat depuis le plateau à film (4, 4.1) soit à un niveau supérieur à celui du bord supérieur du lit catalyseur (3, 3.1 ou 3.2), la conduite (6) d'évacuation de la phase liquide du réacteur latéral (2) donnant (6.1) sur la colonne de distillation (1) au-dessous du plateau à film (4) et que cet orifice (6, 6.1) soit à un niveau inférieur à celui du bord supérieur du lit catalyseur (3, 3.1 ou 3.2) et que la conduite (7) d'évacuation de la phase gazeuse du réacteur latéral associé (2) donne (7.1) sur la colonne de distillation (1) au-dessus du niveau (4.1) du plateau à film (4). L'invention porte également sur un procédé de préparation de ces silanes au moyen de cet appareil.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)