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1. (WO2006029607) DIODE GUNN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/029607    N° de la demande internationale :    PCT/DE2005/001612
Date de publication : 23.03.2006 Date de dépôt international : 14.09.2005
CIB :
H01L 47/02 (2006.01)
Déposants : FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Whilelm-Johnen-Strasse, 52425 Jülich (DE) (Tous Sauf US).
FÖRSTER, Arno [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
MONTANARI, Simone [IT/DE]; (DE) (US Seulement).
LÜTH, Hans [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LEPSA, Mihail, Ion [RO/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : FÖRSTER, Arno; (DE).
MONTANARI, Simone; (DE).
LÜTH, Hans; (DE).
LEPSA, Mihail, Ion; (DE)
Représentant
commun :
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH; Fachbereich Patente, 52425 Jülich (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2004 044 558.3 15.09.2004 DE
Titre (DE) GUNN-DIODE
(EN) GUNN-DIODE
(FR) DIODE GUNN
Abrégé : front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Gunn-Diode, umfassend einen, einen Gunn-Effekt ausübenden aktiven Bereich (2) und einen Injektor (4, 5, 6), dadurch gekennzeichnet, dass der Injektor einen Energiebandpassfilter für die in den aktiven Bereich injizierten Elektronen umfasst. Der Energiebandpassfilter ist viertagsweise als Resonanztunneldiode bestehend aus Barriereschichten (5a, 5c) und einer Zwischenschicht (5b) ausgelegt.
(EN)The invention relates to a Gunn-diode, comprising an active area (2) which exerts a Gunn-effect, and an injector (4, 5, 6). Said Gunn-diode is characterised in that the injector comprises an energy band pass filter for the electrons injected into the active area. The energy band pass filter is embodied in the form of a resonance tunnel diode made of barrier layers (5a, 5c) and an intermediate layer (5b).
(FR)L'invention concerne une diode Gunn, qui comprend une zone active (2), exerçant un effet Gunn, et un injecteur (4, 5, 6). Cette diode Gunn est caractérisé en ce que injecteur présente un filtre passe bande d'énergie pour les électrons injectés dans la zone active. Ce filtre passe bande d'énergie est de préférence conçue sous la forme d'une diode à effet tunnel résonante constituée de couches barrières (5a, 5c) et d'une couche intermédiaire (5b).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)