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1. (WO2006028584) REACTEUR A TUBE A AGITATION ET SON PROCEDE D'UTILISATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/028584    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/025920
Date de publication : 16.03.2006 Date de dépôt international : 21.07.2005
CIB :
B01F 7/04 (2006.01), B01J 19/18 (2006.01), B01J 19/00 (2006.01)
Déposants : 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY [US/US]; 3M Center, Post Office Box 33427, Saint Paul, Minnesota 55133-3427 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : MARX, Ryan E.,; (US).
NELSON, James M.,; (US).
HANLEY, Kenneth J.,; (US)
Mandataire : WRIGHT, Bradford B. ,; 3M Center, Office of Intellectual Property Counsel, Post Office Box 33427, Saint Paul, Minnesota 55133-3427 (US)
Données relatives à la priorité :
10/931,732 01.09.2004 US
Titre (EN) STIRRED TUBE REACTOR AND METHOD OF USING THE SAME
(FR) REACTEUR A TUBE A AGITATION ET SON PROCEDE D'UTILISATION
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for making a device comprising aligned semiconducting nanoparticles and a receptor substrate comprising the steps of: a) aligning a plurality of first semiconducting nanoparticles; b) depositing the aligned first semiconducting nanoparticles on a first donor sheet; and c) transferring at least a portion of the aligned first semiconducting nanoparticles to a receptor substrate by the application of laser radiation. Typically, the semiconducting nanoparticles are inorganic semiconducting nanoparticles. The alignment step may be accomplished by any suitable method, typically including: 1) alignment by capillary flow in or on a textured or microchanneled surface; 2) alignment by templating on a self-assembled monolayer (SAM); 3) alignment by templating on a textured polymer surface; or 4) alignment by mixing in a composition that includes nematic liquid crystals followed by shear orientation of the nematic liquid crystals. In some embodiments, the method additionally comprises the steps of: d) aligning a second plurality of second nanoparticles; e) depositing the aligned second nanoparticles on the same donor sheet or a second donor sheet; and f) transferring at least a portion of the aligned second nanoparticles to the same receptor substrate by the application of laser radiation. The second nanoparticles may be conducting particles, non-conducting particles, or semiconducting nanoparticles, including inorganic semiconducting nanoparticles, and may be the same or different in composition from the first semiconducting nanoparticles. In addition, devices made according to the methods of the present invention are provided.
(FR)La présente invention a trait à un procédé pour la fabrication d'un dispositif comportant des nanoparticules semiconductrices alignées et un substrat récepteur, comprenant les étapes suivantes: a) l'alignement d'une pluralité de première nanoparticules semiconductrices; b) le dépôt des premières nanoparticules semiconductrices alignées sur un premier support donneur et c) le transfert d'au moins une portion des premières nanoparticules semiconductrices alignées vers un substrat récepteur par l'application d'un rayonnement laser. Typiquement, les nanoparticules semiconductrices sont des nanoparticules semiconductrices inorganiques. L'étape d'alignement peut être réalisée par tout procédé approprié, comprenant de manière caractéristiques: 1) l'alignement par écoulement capillaire dans ou sur une surface texturé ou à micro-canaux; 2) l'alignement par une structuration sur une monocouche auto-assemblée; 3) l'alignement par structuration sur une surface de polymère texturé; ou 4) l'alignement par mélange dans une composition comprenant des cristaux liquides nématiques suivi d'une orientation par cisaillement des cristaux liquides nématiques. Dans certains modes de réalisation, le procédé comprend en outre les étapes suivantes: d) l'alignement d'une deuxième pluralité de deuxièmes nanoparticules; e) le dépôt des deuxièmes nanoparticules semiconductrices alignées sur le même support donneur ou un deuxième support donneur; et f) le transfert d'au moins une portion des deuxièmes nanoparticules semiconductrices alignées vers le même substrat récepteur par l'application d'un rayonnement laser. Les deuxièmes nanoparticules, peuvent être des particules conductrices, des particules non conductrices, ou des nanoparticules semiconductrices, comprenant des nanoparticules semiconductrices inorganiques, et peuvent être identiques ou différentes dans la composition par rapport aux première nanoparticules semiconductrices. L'invention a également trait à des dispositifs fabriqués selon les procédés de la présente invention.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)