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1. (WO2006028215) CONDENSATEUR A FILM MINCE, PROCEDE DE FORMATION DE CELUI-CI ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT LISIBLE PAR UN ORDINATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/028215    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/016639
Date de publication : 16.03.2006 Date de dépôt international : 09.09.2005
CIB :
H01L 21/8242 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-Chome, Minato-Ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
KAKIMOTO, Akinobu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAKIMOTO, Akinobu; (JP)
Mandataire : ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu 4-chome, Shibuya-Ku, Tokyo1506032 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-262668 09.09.2004 JP
Titre (EN) THIN FILM CAPACITOR, METHOD FOR FORMING SAME, AND COMPUTER READABLE RECORDING MEDIUM
(FR) CONDENSATEUR A FILM MINCE, PROCEDE DE FORMATION DE CELUI-CI ET SUPPORT D’ENREGISTREMENT LISIBLE PAR UN ORDINATEUR
(JA) 薄膜キャパシタ及びその形成方法、及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
Abrégé : front page image
(EN)In a thin film capacitor, leakage current is reduced by suppressing electric field concentration. A first zirconium oxide layer (26A) is formed on a lower electrode (22) which is made of a conductive material. A buffer layer (28) composed of an amorphous material is formed on the first zirconium oxide layer (26A). A second zirconium oxide layer (26B) is formed on the buffer layer (28), and an upper electrode (24) made of a conductive material is formed on the second zirconium oxide layer (26B).
(FR)La présente invention permet de réduire, dans un condensateur à film mince, le courant de fuite en supprimant la concentration de champ électrique. Pour ce faire, une première couche d’oxyde de zirconium (26A) est formée sur une électrode inférieure (22) qui est faite d’un matériau conducteur. Une couche tampon (28) composée d’un matériau amorphe est formée sur la première couche d’oxyde de zirconium (26A). Une seconde couche d’oxyde de zirconium (26B) est formée sur la couche tampon (28) et une électrode supérieure (24) faite d’un matériau conducteur est formée sur la seconde couche d’oxyde de zirconium (26B).
(JA) 薄膜キャパシタにおいて、電界集中を抑制してリーク電流を低減する。導電材料からなる下部電極(22)上に第1のジルコニウム酸化物層(26A)を形成する。第1のジルコニウム酸化物層(26A上)にアモルファス材料よりなるバッファ層(28)を形成する。バッファ層(28)上に第2のジルコニウム酸化物層(26B)を形成し、第2のジルコニウム酸化物層(26B)上に、導電材料からなる上部電極(24)を形成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)