WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006027950) COMPOSITION COMPRENANT UN ACIDE DE POLYAMIDE POUR LA FORMATION D’UN FILM ANTIREFLECHISSANT DE COUCHE INFERIEURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/027950    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/015276
Date de publication : 16.03.2006 Date de dépôt international : 23.08.2005
CIB :
G03F 7/11 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 7-1, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010054 (JP) (Tous Sauf US).
HATANAKA, Tadashi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAGUCHI, Takahiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ENOMOTO, Tomoyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KIMURA, Shigeo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HATANAKA, Tadashi; (JP).
SAKAGUCHI, Takahiro; (JP).
ENOMOTO, Tomoyuki; (JP).
KIMURA, Shigeo; (JP)
Mandataire : HANABUSA, Tsuneo; c/o Hanabusa Patent Office Shin-Ochanomizu Urban Trinity 2, Kandasurugadai 3-chome Chiyoda-ku Tokyo 1010062 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-256655 03.09.2004 JP
Titre (EN) COMPOSITION INCLUDING POLYAMIDE ACID FOR FORMING LOWER LAYER REFLECTION PREVENTING FILM
(FR) COMPOSITION COMPRENANT UN ACIDE DE POLYAMIDE POUR LA FORMATION D’UN FILM ANTIREFLECHISSANT DE COUCHE INFERIEURE
(JA) ポリアミド酸を含む下層反射防止膜形成組成物
Abrégé : front page image
(EN)[PROBLEMS] To provide a lower layer reflection preventing film forming composition, which is to be used in a lithography process of semiconductor device manufacture for forming a lower layer reflection preventing film which can be developed by an alkaline developer used for photoresist development, and to provide a method for forming a photoresist pattern using the lower layer reflection preventing film forming composition. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A lower layer reflection preventing film forming composition includes a polyamide acid, a compound having at least two epoxy groups, a light absorbing compound having a molar light absorption coefficient of 5,000-100,000 (l/mol·cm) to light having a wavelength of 365nm, and a solvent.
(FR)[PROBLEMES] Fournir une composition pour la formation d’un film antireflet de couche inférieure, devant être utilisée dans un procédé de lithographie lors de la production de dispositif semi-conducteur pour la formation d’un film antireflet de couche inférieure pouvant être développé par un révélateur alcalin utilisé pour le développement de réserve, et fournir un procédé de formation d’un motif de réserve utilisant la composition pour la formation d’un film antireflet de couche inférieure. [MOYENS POUR RESOUDRE LES PROBLEMES] Une composition pour la formation d’un film antireflet de couche inférieure inclut un acide de polyamide, un composé ayant au moins deux groupes époxy, un composé photoabsorbant ayant un coefficient molaire d’absorption de la lumière de 5000 à 100 000 (l/mol·cm) pour une lumière ayant une longueur d’onde de 365nm, et un solvant.
(JA)【課題】  半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジストの現像に使用されるアルカリ性現像液で現像可能な下層反射防止膜を形成するための下層射防止膜形成組成物、及びその下層反射防止膜形成組成物を用いたフォトレジストパターンの形成方法を提供すること。 【解決手段】  ポリアミド酸、少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物、波長365nmの光に対するモル吸光係数が5000~100000(l/mol・cm)である吸光性化合物、及び溶剤を含む下層反射防止膜形成組成物。                                                                         
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)