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1. (WO2006027887) MÉMOIRE NON VOLATILE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/027887    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/012324
Date de publication : 16.03.2006 Date de dépôt international : 04.07.2005
CIB :
H01L 27/10 (2006.01)
Déposants : Renesas Technology Corp. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006334 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUZAKI, Nozomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TERAO, Motoyasu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUZAKI, Nozomu; (JP).
TERAO, Motoyasu; (JP)
Mandataire : OGAWA, Katsuo; 8th Floor No.17 Arai Building 3-3, Shinkawa 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040033 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-260642 08.09.2004 JP
Titre (EN) NONVOLATILE MEMORY
(FR) MÉMOIRE NON VOLATILE
(JA) 不揮発性記憶装置
Abrégé : front page image
(EN)In the case of a nonvolatile memory using a resistance variation material, if crystalline and amorphous materials are mixed, the crystallization time is shortened, and the information-holding life is also shortened. Since the thermal conductivity of the material in contact with the resistance variation material is not high, the heat dissipation in rewriting is not quickly done, and the rewriting needs a long time. According to the invention, the contact area between the resistance variation material and the lower electrode is the same as the contact area with the upper electrode, and the current path is uniform. A material having a high thermal conductivity is so provided as to be in contact with the side wall of the resistance variation material, and its end portion is also in contact with the lower electrode.
(FR)Dans le cas d’une mémoire non volatile utilisant un matériau à résistance variable, si l’on mélange des matériaux cristallins et amorphes, le temps de cristallisation est raccourci et la durée de conservation des informations est également raccourcie. Comme la conductivité thermique du matériau au contact du matériau à résistance variable n’est pas élevée, la dissipation de chaleur pendant la réécriture ne se produit pas rapidement et la réécriture exige beaucoup de temps. Selon l’invention, la zone de contact entre le matériau à résistance variable et l’électrode inférieure est la même que la zone de contact avec l’électrode supérieure, et le trajet du courant est uniforme. L’invention propose donc un matériau de conductivité thermique élevée devant être au contact de la paroi latérale du matériau à résistance variable, et dont la portion d’extrémité est également au contact de l’électrode inférieure.
(JA) 抵抗変化材料を用いた不揮発性記憶装置では、結晶と非晶質が混在すると、結晶化時間が早まり、情報保持寿命を短くしていた。抵抗変化材料に接する材料の熱伝導率が高くないせいで、書換時の熱放散が速やかに行われず、書換えに長時間を要していた。 本発明は、抵抗変化材料と下部電極との接触面積、および上部電極との接触面積を同一にして、電流経路を均一にした。抵抗変化材料の側壁に熱伝導率の高い材料を接触して配置し、かつその端部を下部電極にも接触させる構造を提供する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)