WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2006027778) NANOCRISTAUX SEMICONDUCTEURS A COEUR AVEC COQUILLE EN ALLIAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/027778    N° de la demande internationale :    PCT/IL2005/000952
Date de publication : 16.03.2006 Date de dépôt international : 08.09.2005
CIB :
C30B 15/00 (2006.01), C30B 29/66 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01), C30B 29/52 (2006.01), C30B 29/38 (2006.01), C30B 29/42 (2006.01), C30B 29/46 (2006.01), C30B 29/48 (2006.01)
Déposants : TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LTD. [IL/IL]; Senate House, Technion City, 32000 Haifa (IL) (Tous Sauf US).
LIFSHITZ, Efrat [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
KIGEL, Ariel [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
BRUMER-GILARY, Maya [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
SASHCHIUK, Aldona [IL/IL]; (IL) (US Seulement).
AMIRAV, Lilac [IL/IL]; (IL) (US Seulement)
Inventeurs : LIFSHITZ, Efrat; (IL).
KIGEL, Ariel; (IL).
BRUMER-GILARY, Maya; (IL).
SASHCHIUK, Aldona; (IL).
AMIRAV, Lilac; (IL)
Mandataire : BEN-AMI, Paulina; Ben-Ami & Associates, P.O. BOX 94, 76100 Rehovot (IL)
Données relatives à la priorité :
60/608,108 09.09.2004 US
Titre (EN) CORE-ALLOYED SHELL SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS
(FR) NANOCRISTAUX SEMICONDUCTEURS A COEUR AVEC COQUILLE EN ALLIAGE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a core-alloyed shell semiconductor nanocrystal comprising: (i) a core of a semiconductor material having a selected band gap energy; (ii) a core-overcoating shell consisting of one or more layers comprised of an alloy of the said semiconductor of (i) and a second semiconductor; (iii) and an outer organic ligand layer, provided that the core semiconductor material is not HgTe. Preferably, the core semiconductor material is PbSe and the alloy shell semiconductor material has the PbSexS1-x structure.
(FR)L'invention porte sur un nanocristal semiconducteur à coeur avec coquille en alliage qui comprend: (i) un coeur dans un matériau semiconducteur possédant une énergie de bande interdite choisie; (ii) une coquille recouvrant le coeur composée d'une ou plusieurs couches d'un alliage du semiconducteur mentionné sous (i) et d'un second semiconducteur; (iii) et une couche de ligand organique extérieure, à condition que le matériau semiconducteur du coeur ne soit pas HgTe. De préférence, le matériau semiconducteur du coeur est PbSe et le matériau semiconducteur de la coquille en alliage possède la structure PbSexS1-x.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)