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1. (WO2006027739) DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS ET PROCEDES D'ELABORATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/027739    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/052899
Date de publication : 16.03.2006 Date de dépôt international : 06.09.2005
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/41 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01)
Déposants : KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
PEAKE, Steven, T. [GB/GB]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : PEAKE, Steven, T.; (GB)
Mandataire : WHITE, Andrew; NXP Semiconductors, Intellectual Property Department, Cross Oak Lane, Redhill, Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
0419867.7 08.09.2004 GB
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURE THEREOF
(FR) DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS ET PROCEDES D'ELABORATION
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing a semiconductor device comprising source and drain regions (13, 14, 14a) of a first conductivity type, and a channel­accommodating region (15) of a second, opposite conductivity type which separates the source and drain regions. The device comprises a gate (11, 42) which extends adjacent to the channel-accommodating region. The method includes the steps of etching a trench (27) into the semiconductor body of the device at a location laterally spaced from that of the gate (11, 42); and implanting a second conductivity type dopant into the body through the bottom (27b) of the trench to form a second conductivity type localised region (37) in the drain region. The dimensions and doping level of the localised level of the localised region (37) in the finished device is such that the localised region and adjacent portions of the drain region provide a voltage-sustaining space­charge zone when depleted. This serves to substantially improve the trade-off between on-resistance and breakdown voltage in the resulting device in a cost effective manner.
(FR)L'invention concerne un procédé d'élaboration de dispositif à semiconducteurs qui comprend des parties source et drain (13, 14, 14a) d'un premier type de conductivité, et une partie canal (15) d'un second type de conductivité opposé séparant les parties source et drain. Le dispositif comprend une grille (11, 42) d'extension adjacente à la partie canal. Le procédé est le suivant : attaque pour la réalisation d'une tranchée (27) dans le corps à semiconducteurs du dispositif en un point espacé latéralement par rapport à la grille (11, 42); et implantation d'un dopant du second type de conductivité dans ce corps via le fond (27b) de la tranchée pour former une partie localisée du second type de conductivité (37) dans la partie drain. Les dimensions et le degré de dopage du niveau localisé de la partie localisée (37) dans le dispositif fini sont tels que la partie localisée et les zones adjacentes de la partie drain fournissent une région de charge d'espace support de tension en cas d'appauvrissement. Cela permet d'améliorer sensiblement le compromis entre la tension à l'état passant et la tension de rupture dans le dispositif résultant, de manière rentable.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)