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1. (WO2006027669) DISPOSITIF DE COMMUTATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/027669    N° de la demande internationale :    PCT/IB2005/002654
Date de publication : 16.03.2006 Date de dépôt international : 08.09.2005
CIB :
H01L 31/10 (2006.01)
Déposants : ELEMENT SIX LIMITED [GB/GB]; Isle of Man Freeport, Ballasalla, Isle of Man IM99 6AQ (GB) (Tous Sauf US).
AMARATUNGA, Gehan, Anil, Joseph [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
BREZEANU, Mihai [RO/GB]; (GB) (US Seulement).
RASHID, Jeremy, Suhail [SG/GB]; (GB) (US Seulement).
RUPESINGHE, Nalin, Lalith [LK/GB]; (GB) (US Seulement).
TAJANI, Antonella [IT/GB]; (GB) (US Seulement).
TWITCHEN, Daniel, James [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
UDREA, Florin [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
WORT, Christopher, John, Howard [GB/GB]; (GB) (US Seulement).
KEMP, Mark [ZA/ZA]; (ZA) (MW only)
Inventeurs : AMARATUNGA, Gehan, Anil, Joseph; (GB).
BREZEANU, Mihai; (GB).
RASHID, Jeremy, Suhail; (GB).
RUPESINGHE, Nalin, Lalith; (GB).
TAJANI, Antonella; (GB).
TWITCHEN, Daniel, James; (GB).
UDREA, Florin; (GB).
WORT, Christopher, John, Howard; (GB)
Mandataire : GILSON, David, Grant; P.O Box 454, 0001 Pretoria (ZA)
Données relatives à la priorité :
0420177.8 10.09.2004 GB
60/621,066 25.10.2004 US
Titre (EN) SWITCHING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE COMMUTATION
Abrégé : front page image
(EN)A high voltage diamond based switching device capable of sustaining high currents in the on state with a relatively low impedance and a relatively low optical switching flux. It is also capable of being switched off in the presence of the high voltage being switched. The device consists of a diamond body having a Schottky barrier contact, held in reverse bias by the applied voltage to be switched, to an essentially intrinsic diamond layer or portion in the diamond body, and a second metal contact. It also includes an optical source or other illuminating or irradiating means such that when the depletion region formed by the Schottky contact to the intrinsic diamond layer is exposed to its radiation charge carriers are generated. Gain in the total number of charge carriers then occurs as a result of these charge carriers accelerating under the field within the intrinsic diamond layer and generating further carriers in the manner of assisted avalanche breakdown.
(FR)La présente invention a trait à un dispositif de commutation haute tension à base de diamant capable de subir des courants élevés à l'état de marche avec une impédance relativement faible et un flux de commutation optique relativement faible. Il est également capable d'être débranché en présence d'une commutation de haute tension. Le dispositif est constitué d'un corps de diamant comprenant un contact de barrière Schottky, maintenu en polarisation inverse par l'application de la tension à commuter, à une couche ou portion de diamant sensiblement intrinsèque dans le corps de diamant, et un deuxième contact métallique. Il comporte également une source optique ou autre moyen d'éclairage ou d'irradiation de sorte que la région lacunaire formée par le contact Schottky à la couche de diamant intrinsèque est exposée à son rayonnement, des porteurs de charge sont générés. Un gain dans le nombre total de porteurs de charge se produit alors en conséquence de l'accélération de ces porteurs de charge à la manière d'une rupture en avalanche assistée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)