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1. (WO2006026559) ANODE A PROFIL DYNAMIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/026559    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/030694
Date de publication : 09.03.2006 Date de dépôt international : 26.08.2005
CIB :
C25B 9/00 (2006.01), C25B 11/00 (2006.01)
Déposants : SURFECT TECHOLOGIES, INC. [US/US]; 12000 Candelaria Boulevard, N.E., Albuquerque, NM 87112 (US) (Tous Sauf US).
GRIEGO, Thomas, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
SANCHEZ, Fernando, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GRIEGO, Thomas, P.; (US).
SANCHEZ, Fernando, M.; (US)
Mandataire : ASKENAZY, Philip, D.; Peacock Myers, P.C., 201 Third Street NW, Suite 1340, Albuquerque, NM 87125 (US)
Données relatives à la priorité :
60/604917 26.08.2004 US
11/212,277 25.08.2005 US
Titre (EN) DYNAMIC PROFILE ANODE
(FR) ANODE A PROFIL DYNAMIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A dynamic profile anode whose shape can be varied to optimize the current distribution to a substrate during highly controlled electrodeposition. Enhanced control of the process provides for a more uniform deposit thickness over the entire substrate, and permits reliable plating of submicron features. The anode is particularly useful for electroplating submicron structures. The anode is advantageously able to use metallic ion sources and may be placed close to the cathode thus minimizing contamination of the substrate. The anode profile may be varied during the deposition process. The anode may consist of multiple concentric regions, each of which may be operated at independent voltages and currents.
(FR)L'invention concerne une anode à profil dynamique dont la taille peut varier pour optimiser la distribution de courant à un substrat, lors d'un dépôt électrolytique hautement contrôlé. Un contrôle accrû du procédé permet d'obtenir une épaisseur de dépôt plus uniforme sur la totalité du substrat, et permet d'obtenir un dépôt électrolytique fiable de caractéristiques du sous-micron. L'anode est particulièrement utile pour appliquer un dépôt électrolytique sur des structures de l'ordre du sous-micron. L'anode de l'invention est avantageusement capable d'utiliser des sources ioniques métalliques et peut être placée à proximité de la cathode, ce qui permet de réduire au maximum la contamination du substrat. Le profil de l'anode peut varier lors du procédé de dépôt électrolytique. L'anode peut comprendre plusieurs zones concentriques, chacune de ces zones peuvent fonctionner à des tensions et à des courants indépendants.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)