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1. (WO2006026010) FORMATION DE TRANSISTORS A GRILLE METALLIQUE A JONCTIONS SOURCE-DRAIN ABRUPTES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/026010    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/027102
Date de publication : 09.03.2006 Date de dépôt international : 29.07.2005
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01)
Déposants : INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard, Santa Clara, California 95052 (US) (Tous Sauf US).
LINDERT, Nick [US/US]; (US) (US Seulement).
DATTA, Suman [IN/US]; (US) (US Seulement).
KAVALIEROS, Jack [US/US]; (US) (US Seulement).
DOCZY, Mark [US/US]; (US) (US Seulement).
METZ, Matthew [US/US]; (US) (US Seulement).
BRASK, Justin [US/US]; (US) (US Seulement).
CHAU, Robert [US/US]; (US) (US Seulement).
BOHR, Mark [US/US]; (US) (US Seulement).
MURTHY, Anand [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : LINDERT, Nick; (US).
DATTA, Suman; (US).
KAVALIEROS, Jack; (US).
DOCZY, Mark; (US).
METZ, Matthew; (US).
BRASK, Justin; (US).
CHAU, Robert; (US).
BOHR, Mark; (US).
MURTHY, Anand; (US)
Mandataire : TROP, Timothy, N.; TROP, PRUNER & HU, P.C., 1616 S. Voss Rd., Suite 750, Houston, Texas 77057-2631 (US)
Données relatives à la priorité :
10/925,566 25.08.2004 US
Titre (EN) FORMING ABRUPT SOURCE DRAIN METAL GATE TRANSISTORS
(FR) FORMATION DE TRANSISTORS A GRILLE METALLIQUE A JONCTIONS SOURCE-DRAIN ABRUPTES
Abrégé : front page image
(EN)A gate structure may be utilized as a mask to form source and drain regions. Then the gate structure may be removed to form a gap and spacers may be formed in the gap to define a trench. In the process of forming a trench into the substrate, a portion of the source drain region is removed. Then the substrate is filled back up with an epitaxial material and a new gate structure is formed thereover. As a result, more abrupt source drain junctions may be achieved.
(FR)Selon l'invention, une structure de grille peut être utilisée en tant que masque pour former des régions source et drain. La structure de grille peut ensuite être éliminée pour former un écartement, et des éléments d'espacement peuvent être formés dans l'écartement afin que soit définie une tranchée. Dans le procédé de formation d'une tranchée dans le substrat, une partie de la région de source-drain est éliminée. Le substrat est ensuite à nouveau rempli par une matériau épitaxial et une nouvelle structure de grille est formée sur celui-ci. Des jonctions source-drain plus abruptes peuvent ainsi être obtenues.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)