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1. (WO2006025967) TRAITEMENT DE SEMICONDUCTEUR UTILISANT UN GAZ HYDROGENE EXCITE EN COMBINAISON AVEC UN NETTOYAGE PAR VOIE HUMIDE

Pub. No.:    WO/2006/025967    International Application No.:    PCT/US2005/025822
Publication Date: 9 mars 2006 International Filing Date: 22 juil. 2005
IPC: H01L 21/768
H01L 21/027
H01L 21/311
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC
VERHAVERBEKE, Steven
Inventors: VERHAVERBEKE, Steven
Title: TRAITEMENT DE SEMICONDUCTEUR UTILISANT UN GAZ HYDROGENE EXCITE EN COMBINAISON AVEC UN NETTOYAGE PAR VOIE HUMIDE
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, qui consiste à: soumettre un substrat sur lequel est formé une couche de résine photosensible à un hydrogène plasma, ledit substrat comportant en outre une couche sacrificielle; placer la couche de résine photosensible au contact d'une solution d'élimination de la résine photosensible; soumettre la couche sacrificielle à un hydrogène plasma; et placer la couche de matériau sacrificiel au contact d'une solution de morsure.