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1. (WO2006025820) PROCEDE DE PASSIVATION DE SURFACE DE SILICIUM CRISTALLIN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/025820    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/027728
Date de publication : 09.03.2006 Date de dépôt international : 26.08.2004
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : MIDWEST RESEARCH INSTITUTE [US/US]; 425 Volker Boulevard, Kansas City, MO 64110 (US) (Tous Sauf US).
WANG, Qi [US/US]; (US) (US Seulement).
WANG, Tihu [US/US]; (US) (US Seulement).
PAGE, Matthew, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
YAN, Yanfa [CN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WANG, Qi; (US).
WANG, Tihu; (US).
PAGE, Matthew, R.; (US).
YAN, Yanfa; (US)
Mandataire : WHITE, Paul, J.; National Renewable Energy Laboratory, 1617 Cole Boulevard, Golden, CO 80401 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR PASSIVATING CRYSTAL SILICON SURFACES
(FR) PROCEDE DE PASSIVATION DE SURFACE DE SILICIUM CRISTALLIN
Abrégé : front page image
(EN)In a method of making a c-Si-based cell or a µc-Si-based cell, the improvement of increasing the minority charge carrier's lifetime, comprising: a) placing a c-Si or polysilicon wafer into CVD reaction chamber under a low vacuum condition and subjecting the substrate of the wafer to heating; and b) passing mixing gases comprising NH3/H2 through the reaction chamber at a low vacuum pressure for a sufficient time and at a sufficient flow rate to enable growth of an a-Si:H layer sufficient to increase the lifetime of the c-Si or polysilicon cell beyond that of the growth of an a-Si:H layer without treatment of the wafer with NH3/H2
(FR)Dans un procédé de fabrication de cellule à base de c-Si ou de cellule à base de µc-Si, l'amélioration de l'augmentation de la durée de vie de porteurs de charges minoritaires consiste: (a) à placer une plaquette de c-Si ou de polysilicium dans une chambre de réaction CVD dans les conditions de vide relatif et à soumettre le substrat de cette plaquette à un chauffage et, (b) à passer des gaz de mélange comprenant NH3/H2 à travers la chambre de réaction dans des conditions de vide relatif pendant une durée suffisante et à une vitesse de flux suffisante pour permettre la croissance d'une couche a-Si:H suffisante pour augmenter la durée de vie de la cellule de c-Si ou de polysilicium au-delà de celle d'une plaquette dont la croissance d'une couche a-Si:H layer n'a pas été précédé d'un traitement au NH3/H2.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)