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1. (WO2006025593) PROCEDE DE CROISSANCE D'UN CRISTAL D'UN SEMICONDUCTEUR A BASE DE NITRURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/025593    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/016372
Date de publication : 09.03.2006 Date de dépôt international : 31.08.2005
CIB :
H01L 21/205 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), C30B 25/14 (2006.01)
Déposants : HONDA MOTOR CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Minami-Aoyama 2-chome, Minato-ku, Tokyo 107-8556 (JP) (Tous Sauf US).
KAWANISHI, Hideo [JP/JP]; (JP).
HASHIMOTO, Hideki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HORIUCHI, Akihiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAWANISHI, Hideo; (JP).
HASHIMOTO, Hideki; (JP).
HORIUCHI, Akihiko; (JP)
Mandataire : SHIMODA, Yo-ichiro; Meisan Tameike Bldg., 1-12, Akasaka 1-chome, Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-253508 31.08.2004 JP
Titre (EN) GROWTH OF NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTALS
(FR) PROCEDE DE CROISSANCE D'UN CRISTAL D'UN SEMICONDUCTEUR A BASE DE NITRURE
Abrégé : front page image
(EN)A process for growing a crystal of a nitride semiconductor in which after the step of mounting a substrate (12) in a reaction tube (11), the step of feeding a first material gas containing a Group 3 element onto the substrate in the reaction tube and the step of feeding a second material gas containing elemental nitrogen onto the substrate in the reaction tube are carried out alternately to deposit a nitride semiconductor crystal directly on the substrate. The number of moles of the elemental nitrogen contained in the second material gas has a ratio of 200 or more to the number of moles of the Group 3 element in the first material gas.
(FR)L'invention concerne un procédé de croissance d'un cristal d'un semiconducteur à base de nitrure qui comprend une étape de montage d'un substrat (12) dans un tube de réaction (11), une étape d'alimentation d'un premier matériau gazeux contenant un élément de Groupe 3 sur le substrat dans le tube de réaction et une étape d'alimentation d'une seconde matière gazeuse contenant de l'azote élémentaire sur le substrat dans le tube de réaction, ces étapes étant mises en oeuvre de façon alternée afin de déposer un cristal à semiconducteur de nitrure directement sur le substrat. Le nombre de moles de l'azote élémentaire contenus dans la seconde matière gazeuse possède un rapport de 200 ou plus par rapport au nombre de moles de l'élément de Groupe 3 dans la première matière gazeuse.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)