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1. (WO2006025497) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/025497    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/016026
Date de publication : 09.03.2006 Date de dépôt international : 01.09.2005
CIB :
F21V 25/00 (2006.01), F21V 25/04 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/08 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01), H01L 33/44 (2010.01), H01L 33/50 (2010.01)
Déposants : ROHM CO., LTD [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-Cho, Ukyo-ku Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
SHAKUDA, Yukio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIDA, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SONOBE, Masayuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SHAKUDA, Yukio; (JP).
NISHIDA, Toshio; (JP).
SONOBE, Masayuki; (JP)
Mandataire : KAWAMURA, Kiyoshi; KAWAMURA & CO. Shinei Bldg. 6E 5-1, Nishinakajima 4-chome Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-255802 02.09.2004 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体発光装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a highly reliable semiconductor light-emitting device wherein disconnection does not occur between wires. Such a semiconductor light-emitting device, which can be used in place of an electric lamp or fluorescent lamp, is monolithically formed by forming a plurality of light-emitting units on one substrate. A plurality of light-emitting units (1) are formed by electrically separating a semiconductor multilayer portion (17) which are so formed on a substrate (11) as to constitute a light-emitting layer, and the light-emitting units (1) are respectively connected in series and/or in parallel by a wiring film (3). The structure for electrically separating the light-emitting units (1) from one another is composed of a separation groove (17a) formed in the semiconductor multilayer portion (17) and an insulating film (21) buried in the separation groove (17a). The separation groove (17a) is formed in such a position that the surfaces of the semiconductor multilayer portion (17) on both sides of the separation groove (17a) are substantially on the same plane, and the wiring film (3) is formed on the separation groove (17a) via the insulating film (21).
(FR)Cette invention a pour objet un dispositif électroluminescent semi-conducteur à haute fiabilité. Dans ledit dispositif, les câbles ne font l’objet d’aucune déconnexion. Ce type de dispositif électroluminescent semi-conducteur, pouvant être utilisé en remplacement d’une lampe électrique ou d’une lampe fluorescente, est élaboré de manière monolithique par formation d’une pluralité d’unités électroluminescentes sur un substrat. Une pluralité d’unités électroluminescentes (1) est formée par séparation électrique d’une section multicouches semi-conductrice (17), couches formées également sur un substrat (11) de manière à constituer une couche électroluminescente ; les unités électroluminescentes (1) sont reliées respectivement en série et/ou en parallèle à l’aide d’une couche de câblage (3). La structure de séparation électrique des unités électroluminescentes (1) est composée d’une rainure de séparation (17a) formée dans la section multicouche semi-conductrice (17), et d’une pellicule isolante (21) intégrée dans la rainure de séparation (17a). Cette rainure de séparation (17a) est disposée de telle manière que les surfaces de la section multicouches semi-conductrice (17), situées sur les deux côtés de la rainure de séparation (17a), se trouvent sensiblement sur le même plan. La couche de câblage (3) est formée sur la rainure de séparation (17a) par le biais de la pellicule isolante (21).
(JA) 電灯や蛍光管などの代りに用いることができる半導体発光装置を1つの基板上に複数個の発光部を形成してモノリシックにより形成する場合において、配線の断線などが生じないで信頼性の高い半導体発光装置を提供する。  基板1上に発光層を形成するように積層された半導体積層部17が複数個に電気的に分離されることにより、複数個の発光部1が形成され、この複数個の発光部1が、配線膜3によりそれぞれ直並列に接続されている。この複数個の発光部1をそれぞれ電気的に分離する構造が、半導体積層部17に形成される分離溝17aおよびその分離溝17a内に埋め込まれる絶縁膜21により形成され、その分離溝17aは、分離溝17aを挟んだ半導体積層部17の表面が実質的に同一面になる場所に形成され、その分離溝17a上に絶縁膜21を介して配線膜3が形成されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)