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1. (WO2006025180) CAPTEUR D’ADN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/025180    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/014283
Date de publication : 09.03.2006 Date de dépôt international : 04.08.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    02.03.2006    
CIB :
G01N 27/414 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), C12M 1/00 (2006.01), C12N 15/09 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP) (Tous Sauf US).
KAWARADA, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAWARADA, Hiroshi; (JP)
Mandataire : SHIMIZU, Mamoru; Nichiyo Bldg., 11-12, Kanda-mitoshiro-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1010053 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-250303 30.08.2004 JP
Titre (EN) DNA SENSOR
(FR) CAPTEUR D’ADN
(JA) DNAセンサー
Abrégé : front page image
(EN)A DNA sensor capable of identification of unknown DNA through enhancing of a sensitivity of hybridization detection. Gate (8) of liquid electrolyte, a p-channel field-effect transistor furnished with not only diamond surface (2) wherein at least a hydrogen-terminated surface and a surface terminated with amino or an aminated molecule coexist but also p-channel (5), probe DNA (11) constituted of a single-stranded DNA of known sequence directly secured by a linker to the diamond surface (2) and a target DNA constituted of an unknown single-stranded DNA to be dropped on the diamond surface (2) are set up. Making use of the phenomenon that when the target DNA is in relationship complementary to the probe DNA (11), the negative charge of phosphate group of double-stranded DNA produced by hybridization of the probe DNA (11) constituted of a single-stranded DNA with the target DNA is doubled to lead to hole induction and to shifting of the threshold voltage of the p-channel field-effect transistor toward positive direction, whether or not the target DNA is in relationship complementary to the probe DNA (11) is identified by detecting any shift of this threshold voltage toward positive direction.
(FR)L’invention porte sur un capteur d’ADN capable d’identifier un ADN inconnu en améliorant la sensibilité de la détection d’hybridation. La grille (8) d’électrolyte liquide, un transistor à effet de champ à canal p doté non seulement d’une surface de diamant (2) où coexistent au moins une surface terminée par hydrogène et une surface terminée par une amine ou une molécule aminée, mais également un canal p (5), une sonde ADN (11) constituée d’un ADN à simple brin de séquence connue directement fixée par un liant à la surface de diamant (2) et une cible ADN constituée d’un ADN inconnu à simple brin que l’on laissera tomber sur la surface de diamant (2) sont mis en place. L’utilisation du phénomène selon lequel lorsque la cible ADN est en relation complémentaire avec la sonde ADN (11), la charge négative du groupe de phosphate d’ADN à double brin produit par hybridation de la sonde ADN (11) constituée d’un ADN à simple brin avec la cible ADN est redoublée pour induire des trous et décaler la tension seuil du transistor à effet de champ à canal p dans le sens positif, on détermine si la cible ADN est en relation complémentaire avec la sonde ADN (11) ou non par la détection de tout décalage de cette tension seuil dans le sens positif.
(JA) ハイブリダイゼーションの検出感度を向上させ、未知のDNAの同定を行うことができるDNAセンサーを提供する。  液体電解質からなるゲート8と、少なくとも水素終端表面およびアミノ基またはアミノ基のある分子で終端された表面が混在するダイヤモンド表面2をpチャネル5とを有するpチャネル電界効果トランジスタと、前記ダイヤモンド表面2にリンカーによって直接固定される塩基配列が既知の1本鎖DNAからなるプローブDNA11と、前記ダイヤモンド表面2に滴下される未知の1本鎖DNAからなるターゲットDNAとをセットし、前記ターゲットDNAが前記プローブDNA11と相補的な関係にある場合に、前記1本鎖DNAからなるプローブDNA11及びターゲットDNAのハイブリダイゼーションにより生成される2本鎖DNAのリン酸基の負の電荷が2倍となり、正孔が誘起され、前記pチャネル電界効果トランジスタの閾値電圧の正方向へシフトすることを利用し、その閾値電圧の正方向へのシフトを検出することにより前記ターゲットDNAが前記プローブDNA11と相補的な関係にあるか否かを同定する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)