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1. (WO2006023492) COUCHE A SEMI-CONDUCTEURS CLASSES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/023492    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/029113
Date de publication : 02.03.2006 Date de dépôt international : 08.08.2005
CIB :
H01L 21/84 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
SADAKA, Mariam G. [LB/US]; (US) (US Seulement).
THOMAS, Shawn G. [US/US]; (US) (US Seulement).
WHITE, Ted R. [US/US]; (US) (US Seulement).
LIU, Chun-Li [US/US]; (US) (US Seulement).
BARR, Alexander L. [US/FR]; (FR) (US Seulement).
NGUYEN, Bich-Yen [US/US]; (US) (US Seulement).
THEAN, Voon-Yew [SG/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SADAKA, Mariam G.; (US).
THOMAS, Shawn G.; (US).
WHITE, Ted R.; (US).
LIU, Chun-Li; (US).
BARR, Alexander L.; (FR).
NGUYEN, Bich-Yen; (US).
THEAN, Voon-Yew; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
10/919,952 17.08.2004 US
Titre (EN) GRADED SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) COUCHE A SEMI-CONDUCTEURS CLASSES
Abrégé : front page image
(EN)A process for forming a semiconductor device. The process includes forming a template layer (207) for forming a layer (305) of strained silicon. In one example a layer (107) of graded silicon germanium is formed where the germanium is at a higher concentration at the lower portion and at a lower concentration at a top portion. When subject to a condensation process, the germanium of the top portion of the layer diffuses to a remaining portion of the silicon germanium layer. Because the silicon germanium layer has a higher concentration of germanium at lower portions, germanium pile up after condensation may be reduced at the upper portion of the remaining portion of the silicon germanium layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de formation d'un dispositif à semi-conducteurs. Ledit procédé consiste à former une couche tampon (207) pour former une couche (305) de silicium contraint. Dans un exemple, une couche (107) de silicium-germanium classé est formée, le germanium étant plus concentré au niveau de la partie inférieure et moins concentré au niveau de la partie supérieure. Lorsqu'il est soumis à un processus de condensation, le germanium de la partie supérieure de la couche est diffusé au niveau de la partie restante de la couche de silicium-germanium. La couche de silicium germanium ayant une concentration supérieure de germanium au niveau de la partie inférieure, l'accumulation de germanium suite à la condensation peut être réduite au niveau de la partie supérieure de la partie restante de la couche de silicium-germanium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)