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1. (WO2006023306) CAPTEURS D'IMAGES PRESENTANT UN COURANT D'OBSCURITE FAIBLE AVEC CANAUX EPITAXIQUES SIC ET/OU CARBONATES DESTINES A DES TRANSISTORS EN RESEAU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/023306    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/028067
Date de publication : 02.03.2006 Date de dépôt international : 09.08.2005
CIB :
H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, Boise, ID 83707-0006 (US) (Tous Sauf US).
MOULI, Chandra [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : MOULI, Chandra; (US)
Mandataire : D'AMICO, Thomas, J.; Dickstein Shapiro Morin & Oshinsky LLP, 2101 L Street NW, Washington, DC 20037-1526 (US)
Données relatives à la priorité :
10/918,454 16.08.2004 US
Titre (EN) LOW DARK CURRENT IMAGE SENSORS WITH EPITAXIAL SIC AND/OR CARBONATED CHANNELS FOR ARRAY TRANSISTORS
(FR) CAPTEURS D'IMAGES PRESENTANT UN COURANT D'OBSCURITE FAIBLE AVEC CANAUX EPITAXIQUES SIC ET/OU CARBONATES DESTINES A DES TRANSISTORS EN RESEAU
Abrégé : front page image
(EN)A pixel cell having a substrate with an isolation channel formed of higher carbon concentrate such as SiC or carbonated silicon. The channel comprising SiC or carbonated silicon is provided over the substrate of the pixel cell to reduce the dark current leakage.
(FR)L'invention porte sur une cellule de pixel se composant d'un substrat dont le canal d'isolation est constitué par un concentré de carbone plus élevé tel que le carbure de silicium ou le silicium carbonaté. Le canal comprenant le SiC ou silicium carbonaté est placé sur le substrat de la cellule de pixel pour réduire la fuite de courant d'obscurité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)