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1. (WO2006023160) MATRICE A PLAN FOCAL DOTEE D'UNE INTERFACE SERIE DIFFERENTIELLE BASSE TENSION MONTEE SUR PUCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/023160    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/024819
Date de publication : 02.03.2006 Date de dépôt international : 13.07.2005
CIB :
H01J 40/14 (2006.01)
Déposants : BAE SYSTEMS INFORMATION AND ELECTRONIC SYSTEMS INTEGRATION INC. [US/US]; 65 Spit Brook Road, NHQ01-719, Nashua, NH 03060 (US) (Tous Sauf US).
TINKLER, Roseanne, H. [US/US]; (US) (US Seulement).
BUTLER, Neal, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TINKLER, Roseanne, H.; (US).
BUTLER, Neal, R.; (US)
Mandataire : LONG, Daniel, J.; BAE Systems Information and Electronic Systems Int, egration Inc., 65 Spit Brook Road, NHQ01-719, Nashua, NH 03060 (US)
Données relatives à la priorité :
10/903,565 30.07.2004 US
Titre (EN) FOCAL PLANE ARRAY WITH ON-CHIP LOW-VOLTAGE DIFFERENTIAL SERIAL INTERFACE
(FR) MATRICE A PLAN FOCAL DOTEE D'UNE INTERFACE SERIE DIFFERENTIELLE BASSE TENSION MONTEE SUR PUCE
Abrégé : front page image
(EN)A high-speed serial interface for focal plane arrays (FPAs), such as microbolometer and cooled FPAs, is disclosed. The interface uses a serial low-voltage differential signal that is substantially unsusceptible to digital crosstalk and EMI, and provides power dissipation that is signal-independent.
(FR)La présente invention se rapporte à une interface série à haute vitesse pour matrices à plan focal (FPA), du type microbolomètre et matrices FPA refroidies. Cette interface utilise un signal différentiel basse tension série qui n'est sensiblement pas sensible à la diaphonie numérique et aux interférences électromagnétiques (EMI), et assure une dissipation de puissance qui est indépendante du signal.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)