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1. (WO2006023145) CIRCUIT D'OSCILLATEUR DESTINE A UN GENERATEUR HAUTE TENSION POUR EEPROM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/023145    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/024178
Date de publication : 02.03.2006 Date de dépôt international : 11.07.2005
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    01.06.2006    
CIB :
H03K 3/02 (2006.01), H03B 5/20 (2006.01), H03K 3/26 (2006.01)
Déposants : ATMEL CORPORATION [US/US]; 2325 Orchard Parkway, San Jose, CA 95131 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : RICARD, Stephane; (FR).
MERANDAT, Marc; (FR).
PRATLONG, Jerome; (FR).
VERGNES, Sylvie, B.; (FR).
BOUR, Laureline; (FR)
Mandataire : SCHNECK, Thomas; Schneck & Schneck, P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US).
SCHNECK, David; P.O. Box 2-E, San Jose, CA 95109-0005 (US)
Données relatives à la priorité :
04/08931 17.08.2004 IT
10/995,458 22.11.2004 US
Titre (EN) OSCILLATOR CIRCUIT FOR EEPROM HIGH VOLTAGE GENERATOR
(FR) CIRCUIT D'OSCILLATEUR DESTINE A UN GENERATEUR HAUTE TENSION POUR EEPROM
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor oscillator circuit for an EEPROM high voltage charge pump utilizes a current generating means (70) to charge a first (78) and a second (82) capacitor alternatively. The charging current (Id) produced by the current generating means is inversely proportional to the ambient temperature. The charging current is proportional to the supply voltage (Vdd) and consequently, the oscillator frequency output remains constant over a variable voltage supply. Such a constant frequency characteristic makes a low voltage operation possible, but slows down the oscillator frequency as temperature increases. The slowing of oscillator frequency limits the charge pump output voltage and enhances the lifespan of the EEPROM cells.
(FR)L'invention concerne un circuit d'oscillateur à semi-conducteur destiné à une pompe de charge à tension élevée pour EEPROM utilisant un organe de génération de courant (70) pour charger alternativement un premier (78) et un second (82) condensateur. Le courant de charge (Id) produit au moyen de l'organe de génération de courant est inversement proportionnel à la température ambiante. Ledit courant de charge est également proportionnel à la tension d'alimentation (Vdd) et de ce fait, la sortie de fréquence de l'oscillateur reste constante pour une alimentation de tension variable. Cette caractéristique de constante de fréquence permet un fonctionnement basse tension mais ralentit la fréquence de l'oscillateur lorsque la température augmente. Ce ralentissement limite la tension de sortie de la pompe de charge et améliore la durée de vie des cellules EEPROM.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)