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1. (WO2006023025) CMOS DOTÉ D'UN SEUL IMPLANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/023025    N° de la demande internationale :    PCT/US2005/021495
Date de publication : 02.03.2006 Date de dépôt international : 16.06.2005
CIB :
H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (Tous Sauf US).
PASSLACK, Matthias [DE/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : PASSLACK, Matthias; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
10/903,784 30.07.2004 US
Titre (EN) CMOS WITH ONLY A SINGLE IMPLANT
(FR) CMOS DOTÉ D'UN SEUL IMPLANT
Abrégé : front page image
(EN)A complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistor structure (100) includes ion implants (126, 128) in only one of the two complementary devices. The transistor structure (100) generally includes a compound semiconductor substrate (102) and an epitaxial layer structure (104) that includes one or more donor layers that establish a conductivity type for the epitaxial layer structure. The ion implants function to 'invert' or 'reverse' the conductivity type of the epitaxial layer structure (104) in one of the complementary devices. In the example embodiment, p-type acceptor implants are utilized in the p-channel device (122), while the n-channel device (120) remains implant-free.
(FR)L'invention concerne une structure de transistor MOS complémentaire à effet de champ (100) comprenant des implants ioniques (126, 128) dans seulement l'un des deux dispositifs complémentaires. La structure de transistor (100) comprend généralement un substrat semi-conducteur composé (102) et une structure de couches épitaxiales(104) comprenant une ou plusieurs couches de donneurs établissant un type de conductivité pour la structure de couches épixaliales. Les implants ioniques permettent d'inverser le type de conductivité de la structure de couches épitaxiales (104) dans l'un des deux dispositifs complémentaires. Dans un mode de réalisation exemplaire, les implants accepteurs de type p sont utilisés dans le dispositif à canal p (122), alors que le dispositif à canal n (120) reste sans implant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)