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1. (WO2006022624) CIRCUIT DE MEMOIRE A STOCKAGE DE CHARGE REDRESSEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/022624    N° de la demande internationale :    PCT/US2004/023733
Date de publication : 02.03.2006 Date de dépôt international : 22.07.2004
CIB :
H01L 25/00 (2006.01)
Déposants : PRECISION DYNAMICS CORPORATION [US/US]; 13880 Del Sur Street, San Fernando, CA 91340-3490 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : BEIGEL, Michael, L.; (US).
LEIPPER, John; (US)
Mandataire : KELLEY, Scott, W.; Kelly Lowry & Kelley, LLP, Suite 1650, 6320 Canoga Avenue, Woodland Hills, CA 91367 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) RECTIFYING CHARGE STORAGE MEMORY CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE MEMOIRE A STOCKAGE DE CHARGE REDRESSEUR
Abrégé : front page image
(EN)A composite rectifying charge storage device (Figure 1), consisting of a rectifier (12) and capacitor which share common elements (2 is provided in a memory circuit or memory cell. In one form, the memory cell is adapted for alternative operation as a random access memory (RAM) or as a read only memory (ROM).
(FR)La présente invention concerne un dispositif de stockage de charge redresseur composite qui est composé d'un redresseur et d'un condensateur partageant des éléments communs. Ce dispositif est monté dans un circuit de mémoire ou dans une cellule mémoire. Dans un mode de réalisation, la cellule mémoire est conçue pour un fonctionnement alternatif sous forme de mémoire vive (RAM) ou sous forme de mémoire morte (ROM).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)