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1. (WO2006022387) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET MODULE UTILISANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/022387    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/015575
Date de publication : 02.03.2006 Date de dépôt international : 26.08.2005
CIB :
H02M 1/08 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 27/095 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
KITABATAKE, Makoto; (US Seulement).
KUSUMOTO, Osamu; (US Seulement).
UCHIDA, Masao; (US Seulement).
TAKAHASHI, Kunimasa; (US Seulement).
YAMASHITA, Kenya; (US Seulement).
MIYANAGA, Ryoko; (US Seulement).
HASHIMOTO, Koichi; (US Seulement)
Inventeurs : KITABATAKE, Makoto; .
KUSUMOTO, Osamu; .
UCHIDA, Masao; .
TAKAHASHI, Kunimasa; .
YAMASHITA, Kenya; .
MIYANAGA, Ryoko; .
HASHIMOTO, Koichi;
Mandataire : SUMIDA, Yoshihiro; Arco Patent Office 3rd Fl., Bo-eki Bldg. 123-1, Higashimachi, Chuo-ku Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-246412 26.08.2004 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MODULE USING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET MODULE UTILISANT CELUI-CI
(JA) 半導体装置及びそれを用いたモジュール
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device (29) is provided with two level shift switches (28A, 28B) having a first electrode, a second electrode, a control electrode and a signal outputting electrode. The switches are also provided with a first semiconductor region which constitutes transistor element parts (28a, 28b), which are arranged between the first electrode and the signal outputting electrode and are controlled to carry electricity or not by corresponding to an input signal to the control electrode, and resistor element parts (Ra, Rb) arranged between the signal outputting electrode and the second electrode. The first semiconductor region is composed of a wide band gap semiconductor. The semiconductor device is also provided with a diode (23) wherein a cathode side electrode, an anode side electrode and a second semiconductor region are arranged and the second semiconductor region is composed of a wide band gap semiconductor.
(FR)L'invention décrit un dispositif semi-conducteur (29) comprenant deux commutateurs de niveau (28A, 28B) ayant une première électrode, une deuxième électrode, une électrode de commande et une électrode d’émission de signal. Les commutateurs sont aussi munis d'une première région semi-conductrice qui constitue des parties d'élément transistor (28a, 28b), qui sont disposées entre la première électrode et l'électrode d’émission de signal et sont commandées pour transporter ou non l'électricité par correspondance à un signal d'entrée vers l'électrode de commande, et des parties d'élément de résistance (Ra, Rb) disposées entre l'électrode d’émission de signal et la deuxième électrode. La première région semi-conductrice est composée d'un semi-conducteur de séparation à large bande. Le dispositif semi-conducteur est aussi muni d'une diode (23) dans laquelle une électrode côté cathode, une électrode côté anode et une deuxième région semi-conductrice sont disposées et la deuxième région semi-conductrice est composée d'un semi-conducteur de séparation à large bande.
(JA) 本発明の半導体装置(29)は、第1の電極と第2の電極と制御電極と信号出力電極とを有するとともに、第1の電極と信号出力電極との間に介在し制御電極への入力信号に応じて導通・非導通の制御がなされるトランジスタ素子部(28a,28b)と、信号出力電極と第2の電極との間に介在する抵抗素子部(Ra,Rb)とを構成する第1の半導体領域を有し、第1の半導体領域がワイドバンドギャップ半導体により構成されている2つのレベルシフトスイッチ(28A、28B)と、カソード側電極およびアノード側電極と第2の半導体領域とを有し、第2の半導体領域がワイドバンドギャップ半導体により構成されているダイオード(23)とを備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)