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1. (WO2006022296) PLAQUETTE DE SILICIUM, PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE PLAQUETTE ET PROCEDE DE CROISSANCE DE CRISTAL SIMPLE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/022296    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/015346
Date de publication : 02.03.2006 Date de dépôt international : 24.08.2005
CIB :
C30B 29/06 (2006.01), C30B 15/20 (2006.01), H01L 21/322 (2006.01), H01L 21/324 (2006.01)
Déposants : SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (Tous Sauf US).
HOURAI, Masataka [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUGIMURA, Wataru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ONO, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HOURAI, Masataka; (JP).
SUGIMURA, Wataru; (JP).
ONO, Toshiaki; (JP)
Mandataire : SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu Chuo-ku Tokyo 1048453 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-246017 25.08.2004 JP
2005-163152 02.06.2005 JP
2005-239529 22.08.2005 JP
Titre (EN) SILICON WAFER, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD OF GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PLAQUETTE DE SILICIUM, PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE PLAQUETTE ET PROCEDE DE CROISSANCE DE CRISTAL SIMPLE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハ及びその製造方法、並びにシリコン単結晶育成方法
Abrégé : front page image
(EN)A silicon wafer grown in an inert atmosphere containing hydrogen according to the CZ method, which is a complete grown-in defect free wafer containing none of COP and dislocation clusters in the direction of crystal diameter throughout in the direction of wafer thickness throughout, and which across the wafer consists of interstitial silicon predominant regions. There is provided a method of growing a silicon single crystal, comprising pulling up a silicon single crystal in an inert atmosphere containing hydrogen so as to expand the range of PI region pull-up rate and effecting pull-up within the range of PI region pull-up rate, so that the cylindrical body of single crystal is constituted of interstitial silicon predominant regions.
(FR)L’invention porte sur une plaquette de silicium cultivée dans une atmosphère inerte contenant de l’hydrogène selon le procédé CZ, qui est une plaquette sans défaut à croissance complète ne contenant pas de COP ni de grappe de dislocation dans la direction du diamètre cristallin dans toute la direction d’épaisseur de plaquette, et qui de part et d’autre de la plaquette se compose de régions interstitielles principalement en silicium. L’invention porte également sur un procédé de culture d’un cristal simple de silicium, consistant à tirer vers le haut un cristal simple de silicium dans une atmosphère inerte contenant de l’hydrogène afin d’élargir la plage de taux d’excursion haute de région PI et de réaliser une excursion haute dans la fourchette de taux d’excursion haute de région PI, pour que le corps cylindrique de simple cristal soit constitué de régions interstitielles principalement en silicium.
(JA) このシリコンウェーハは、水素を含む不活性雰囲気中でCZ法により育成され、ウェーハ厚さ方向全域で結晶径方向の全域にCOPおよび転位クラスタを含まない完全Grown-in欠陥フリーウェーハとされ、かつ、ウェーハ全域が格子間シリコン優勢領域からなる。このシリコン単結晶育成方法は、水素を含む不活性雰囲気中でシリコン単結晶を引き上げることにより、PI領域引き上げ速度の範囲を拡大し、このPI領域引き上げ速度範囲で引き上げることにより、単結晶直胴部を格子間シリコン優勢領域とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)