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1. (WO2006022183) ELEMENT MAGNETORESISTIF ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2006/022183    N° de la demande internationale :    PCT/JP2005/015044
Date de publication : 02.03.2006 Date de dépôt international : 11.08.2005
CIB :
H01L 43/10 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), H01L 43/12 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01)
Déposants : JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Hon-cho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP) (Tous Sauf US).
NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 100-8921 (JP) (JP only).
YUASA, Shinji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YUASA, Shinji; (JP)
Mandataire : HIRAKI, Yusuke; Kamiya-cho MT Bldg. 19F, 3-20, Toranomon 4-chome Minato-ku Tokyo1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2004-248071 27.08.2004 JP
2004-313253 28.10.2004 JP
Titre (EN) MAGNETORESISTACNE ELEMENT AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) ELEMENT MAGNETORESISTIF ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 磁気抵抗素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A single crystal MgO (001) substrate (11) is provided, a 50nm-thick epitaxial Fe(001) lower electrode (first electrode) (17) is grown on an MgO (001) seed layer (15) at room temperature, then it is annealed at 350æC in ultra-high vacuum (2×10-8Pa). A 2nm-thick MgO(001) barrier layer (21) is epitaxially grown on the Fe(001) lower electrode (first electrode) (17)at room temperature using an MgO electron beam vapor deposition. A 10nm-thick Fe (001) upper electrode (second electrode) (23) is formed on the MgO(001) barrier layer (21) at room temperature. Continuously, a 10nm-thick IrMn layer (25) is deposited onthe Fe(001) upper electrode (second electrode (23). The IrMn layer (25) is used to realize an anti-parallel magnetizing arrangement by imparting an exchange bias magnetic field to the upper electrode (23). Next, the above fabricated sample is micro-fabricated to form an Fe(001)/MgO(001)/Fe(001) TMR element to thereby increase the MR ratio of the TMR.
(FR)Selon l’invention, un substrat (11) de MgO(001) monocristallin est préparé, une électrode inférieure (première électrode) épitaxiale (17) de Fe(001) d’une épaisseur de 50 nm est formée au tirage sur une couche de germe (15) de MgO(001) à température ambiante puis recuite à 350°C sous vide ultra poussé (2×10-8 Pa). Une couche barrière (21) de MgO(001) d’une épaisseur de 2 nm est formée par croissance épitaxiale sur l’électrode inférieure (la première électrode) (17) de Fe(001) à température ambiante par dépôt de MgO en phase vapeur par faisceau d’électrons. Une électrode supérieure (deuxième électrode) (23) de Fe(001) d’une épaisseur de 10nm est formée sur la couche barrière (21) de MgO(001) à température ambiante. Une couche (25) de IrMn d’une épaisseur de 10 nm est déposée en continu sur l’électrode supérieure (la deuxième électrode) (23) de Fe (001). La couche (25) de IrMn est utilisée pour réaliser un montagemagnétisant tête-bêche par application d’un champ magnétique de polarisation d’échange sur l’électrode supérieure (23). L’échantillon ainsi fabriqué est ensuite micro-usiné pour former un élément TMR de Fe(001)/MgO(001)/Fe(001) et augmenter ainsi le rapport de magnétorésistance du TMR.
(JA) 単結晶MgO(001)基板11を準備し、50nm厚のエピタキシャルFe(001)下部電極(第1電極)17をMgO(001)シード層15上に室温で成長し、次いで、超高真空(2×10-8Pa)において、350℃でアニールを行う。2nm厚のMgO(001)障壁層21をFe(001)下部電極(第1電極)17上に室温でエピタキシャル成長する。この際、MgOの電子ビーム蒸着を用いた。MgO(001)障壁層21上に室温で、厚さ10nmのFe(001)上部電極(第2電極)23を形成した。連続して、10nm厚さのIrMn層25をFe(001)上部電極(第2電極)23上に堆積した。IrMn層25は、上部電極23に交換バイアス磁界を付与することによって反平行磁化配置を実現するためのものである。次いで、上記の作製試料を微細加工してFe(001)/MgO(001)/Fe(001)TMR素子を形成することにより、TMRのMR比を高める。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)